Semiconductor device fabrication |
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MOSFET scaling (process nodes) |
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Future
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El recuento de transistores es el número de transistores en un dispositivo electrónico (normalmente en un único sustrato o chip de silicio ). Es la medida más común de la complejidad de los circuitos integrados (aunque la mayoría de los transistores en los microprocesadores modernos están contenidos en memorias caché , que consisten principalmente en los mismos circuitos de celdas de memoria replicados muchas veces). La velocidad a la que han aumentado los recuentos de transistores MOS generalmente sigue la ley de Moore , que observa que el recuento de transistores se duplica aproximadamente cada dos años. Sin embargo, al ser directamente proporcional al área de un chip, el recuento de transistores no representa cuán avanzada es la tecnología de fabricación correspondiente. Una mejor indicación de esto es la densidad de transistores, que es la relación entre el recuento de transistores de un semiconductor y su área de chip.
A partir de 2023 [update], el mayor recuento de transistores en memoria flash es el chip de memoria flash V-NAND de 232 capas y 16 matrices de 2 terabytes ( apilado en 3D ) de Micron , con 5,3 billones de MOSFET de puerta flotante ( 3 bits por transistor ).
[update]El procesador de aprendizaje profundo Wafer Scale Engine 2 de Cerebras , con el mayor número de transistores en un solo chip hasta 2020 , tiene 2,6 billones de MOSFET en 84 campos expuestos (die) en una oblea, fabricados con el proceso FinFET de 7 nm de TSMC . [1] [2] [3] [4] [5]
A partir de 2024 [update], la GPU con el mayor número de transistores será el acelerador B100 basado en Blackwell de Nvidia , construido sobre el nodo de proceso 4NP personalizado de TSMC y con un total de 208 mil millones de MOSFET.
El recuento más alto de transistores en un microprocesador de consumo a junio de 2023 [update]es de 134 mil millones de transistores, en el SoC M2 Ultra de doble matriz basado en ARM de Apple , que se fabrica utilizando el proceso de fabricación de semiconductores de 5 nm de TSMC . [6]
Año | Componente | Nombre | Número de MOSFET (en billones) | Observaciones |
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2022 | Memoria flash | Módulo V-NAND de Micron | 5.3 | Paquete apilado de dieciséis matrices NAND 3D de 232 capas |
2020 | cualquier procesador | Motor a escala de obleas 2 | 2.6 | Diseño a escala de oblea de 84 campos expuestos (matrices) |
2024 | GPU | Nvidia B100 | 0,208 | Utiliza dos matrices de límite de retícula, con 104 mil millones de transistores cada una, unidas entre sí y actuando como una única gran pieza monolítica de silicio. |
2023 | microprocesador (comercial) | M2 Ultra | 0,134 | SoC que utiliza dos matrices unidas entre sí mediante un puente de alta velocidad |
2020 | DLP | Coloso Mk2 GC200 | 0,059 | Una IPU en contraste con una CPU y una GPU |
En términos de sistemas informáticos que consisten en numerosos circuitos integrados, la supercomputadora con el mayor recuento de transistores en 2016 fue la Sunway TaihuLight[update] , diseñada por China , que tiene para todas las CPU/nodos combinados "alrededor de 400 billones de transistores en la parte de procesamiento del hardware" y "la DRAM incluye alrededor de 12 cuatrillones de transistores, y eso es aproximadamente el 97 por ciento de todos los transistores". [7] Para comparar, la computadora más pequeña , a partir de 2018 empequeñecida por un grano de arroz, tenía del orden de 100.000 transistores. Las primeras computadoras experimentales de estado sólido tenían tan solo 130 transistores, pero usaban grandes cantidades de lógica de diodos . La primera computadora de nanotubos de carbono tenía 178 transistores y era una computadora de un conjunto de instrucciones de 1 bit , mientras que una posterior es de 16 bits (aunque su conjunto de instrucciones es RISC-V de 32 bits ).[update]
Los chips de transistores iónicos (procesadores analógicos limitados "basados en agua" ) tienen hasta cientos de estos transistores. [8]
Estimaciones del número total de transistores fabricados:
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Un microprocesador incorpora las funciones de la unidad central de procesamiento de una computadora en un solo circuito integrado . Es un dispositivo programable y multipropósito que acepta datos digitales como entrada, los procesa según instrucciones almacenadas en su memoria y proporciona resultados como salida.
El desarrollo de la tecnología de circuitos integrados MOS en la década de 1960 condujo al desarrollo de los primeros microprocesadores. [11] El MP944 de 20 bits , desarrollado por Garrett AiResearch para el caza F-14 Tomcat de la Armada de los EE. UU . en 1970, es considerado por su diseñador Ray Holt como el primer microprocesador. [12] Era un microprocesador multichip, fabricado en seis chips MOS. Sin embargo, fue clasificado por la Armada hasta 1998. El Intel 4004 de 4 bits , lanzado en 1971, fue el primer microprocesador de un solo chip.
Los microprocesadores modernos suelen incluir memorias caché en el chip . La cantidad de transistores utilizados para estas memorias caché suele superar con creces la cantidad de transistores utilizados para implementar la lógica del microprocesador (es decir, sin contar la caché). Por ejemplo, el último chip DEC Alpha utiliza el 90 % de sus transistores para la caché. [13]
Procesador | Conteo de transistores | Año | Diseñador | Proceso ( nm ) | Área ( mm2 ) | Densidad de transistores ( tr./mm2 ) |
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MP944 (20 bits, 6 chips, 28 chips en total) | 74.442 (5.360 sin ROM ni RAM) [14] [15] | 1970 [12] [a] | Investigación de Garrett Ai | ? | ? | ? |
Intel 4004 (4 bits, 16 pines) | 2.250 | 1971 | Intel | 10.000 nm | 12 mm2 | 188 |
TMX 1795 (8 bits, 24 pines) | 3.078 [16] | 1971 | Instrumentos de Texas | ? | 30,64 mm2 | 100.5 |
Intel 8008 (8 bits, 18 pines) | 3.500 | 1972 | Intel | 10.000 nm | 14 mm2 | 250 |
NEC μCOM-4 (4 bits, 42 pines) | 2.500 [17] [18] | 1973 | Comité ejecutivo nacional | 7.500 nm [19] | ? | ? |
Toshiba TLCS-12 (12 bits) | 11.000+ [20] | 1973 | Toshiba | 6.000 nm | 32 mm2 | 340+ |
Intel 4040 (4 bits, 16 pines) | 3.000 | 1974 | Intel | 10.000 nm | 12 mm2 | 250 |
Motorola 6800 (8 bits, 40 pines) | 4.100 | 1974 | Motorola | 6.000 nm | 16 mm2 | 256 |
Intel 8080 (8 bits, 40 pines) | 6.000 | 1974 | Intel | 6.000 nm | 20 mm2 | 300 |
TMS 1000 (4 bits, 28 pines) | 8.000 [b] | 1974 [21] | Instrumentos de Texas | 8.000 nm | 11 mm2 | 730 |
Tecnología MOS 6502 (8 bits, 40 pines) | 4.528 [c] [22] | 1975 | Tecnología MOS | 8.000 nm | 21 mm2 | 216 |
Intersil IM6100 (12 bits, 40 pines; clon de PDP-8 ) | 4.000 | 1975 | Intersil | ? | ? | ? |
CDP 1801 (8 bits, 2 chips, 40 pines) | 5.000 | 1975 | RCA | ? | ? | ? |
RCA 1802 (8 bits, 40 pines) | 5.000 | 1976 | RCA | 5.000 nm | 27 milímetros 2 | 185 |
Zilog Z80 ( ALU de 8 bits, 4 bits , 40 pines) | 8.500 [días] | 1976 | Zilog | 4.000 nm | 18 mm2 | 470 |
Intel 8085 (8 bits, 40 pines) | 6.500 | 1976 | Intel | 3.000 nm | 20 mm2 | 325 |
TMS9900 (16 bits) | 8.000 | 1976 | Instrumentos de Texas | ? | ? | ? |
Bellmac-8 (8 bits) | 7.000 | 1977 | Laboratorios Bell | 5.000 nm | ? | ? |
Motorola 6809 (8 bits con algunas funciones de 16 bits , 40 pines) | 9.000 | 1978 | Motorola | 5.000 nm | 21 mm2 | 430 |
Intel 8086 (16 bits, 40 pines) | 29.000 [23] | 1978 | Intel | 3.000 nm | 33 milímetros cuadrados | 880 |
Zilog Z8000 (16 bits) | 17.500 [24] | 1979 | Zilog | ? | ? | ? |
Intel 8088 (bus de datos de 16 bits y 8 bits) | 29.000 | 1979 | Intel | 3.000 nm | 33 milímetros cuadrados | 880 |
Motorola 68000 (16/32 bits, registros de 32 bits, ALU de 16 bits ) | 68.000 [25] | 1979 | Motorola | 3.500 nm | 44 milímetros cuadrados | 1.550 |
Intel 8051 (8 bits, 40 pines) | 50.000 | 1980 | Intel | ? | ? | ? |
Código del producto 65C02 | 11.500 [26] | 1981 | CDB | 3.000 nm | 6 mm2 | 1.920 |
ROMP (32 bits) | 45.000 | 1981 | IBM | 2.000 nm | 58,52 mm2 | 770 |
Intel 80186 (16 bits, 68 pines) | 55.000 | 1982 | Intel | 3.000 nm | 60 mm2 | 920 |
Intel 80286 (16 bits, 68 pines) | 134.000 | 1982 | Intel | 1.500 nm | 49 milímetros cuadrados | 2.730 |
WDC 65C816 (8/16 bits) | 22.000 [27] | 1983 | CDB | 3.000 nm [28] | 9 milímetros cuadrados | 2.400 |
NEC V20 | 63.000 | 1984 | Comité ejecutivo nacional | ? | ? | ? |
Motorola 68020 (32 bits; 114 pines utilizados) | 190.000 [29] | 1984 | Motorola | 2.000 nm | 85 milímetros cuadrados | 2.200 |
Intel 80386 (32 bits, 132 pines; sin caché) | 275.000 | 1985 | Intel | 1.500 nm | 104 milímetros cuadrados | 2.640 |
ARM 1 (32 bits; sin caché) | 25.000 [29] | 1985 | Bellota | 3.000 nm | 50 mm2 | 500 |
Novix NC4016 (16 bits) | 16.000 [30] | 1985 [31] | Corporación Harris | 3.000 nm [32] | ? | ? |
SPARC MB86900 (32 bits; sin caché) | 110.000 [33] | 1986 | Fujitsu | 1.200 nm | ? | ? |
NEC V60 [34] (32 bits; sin caché) | 375.000 | 1986 | Comité ejecutivo nacional | 1.500 nm | ? | ? |
ARM 2 (32 bits, 84 pines; sin caché) | 27.000 [35] [29] | 1986 | Bellota | 2.000 nm | 30,25 mm2 | 890 |
Z80000 (32 bits; caché muy pequeña) | 91.000 | 1986 | Zilog | ? | ? | ? |
NEC V70 [34] (32 bits; sin caché) | 385.000 | 1987 | Comité ejecutivo nacional | 1.500 nm | ? | ? |
Hitachi Gmicro/200 [36] | 730.000 | 1987 | Hitachi | 1.000 nm | ? | ? |
Motorola 68030 (32 bits, cachés muy pequeños) | 273.000 | 1987 | Motorola | 800 nm | 102 milímetros cuadrados | 2.680 |
Chip de máquina Lisp de 32 bits de TI Explorer | 553.000 [37] | 1987 | Instrumentos de Texas | 2.000 nm [38] | ? | ? |
DEC WRL MultiTitan | 180.000 [39] | 1988 | Dic. WRL | 1.500 nm | 61 milímetros cuadrados | 2.950 |
Intel i960 (subsistema de memoria de 32 bits, 33 bits , sin caché) | 250.000 [40] | 1988 | Intel | 1.500 nm [41] | ? | ? |
Intel i960CA (32 bits, caché) | 600.000 [41] | 1989 | Intel | 800 nm | 143 milímetros cuadrados | 4.200 |
Intel i860 (32/64 bits, SIMD de 128 bits , caché, VLIW ) | 1.000.000 [42] | 1989 | Intel | ? | ? | ? |
Intel 80486 (32 bits, caché de 8 KB) | 1.180.235 | 1989 | Intel | 1.000 nm | 173 milímetros cuadrados | 6.822 |
ARM 3 (32 bits, caché de 4 KB) | 310.000 | 1989 | Bellota | 1.500 nm | 87 milímetros cuadrados | 3.600 |
POWER1 (módulo de 9 chips, 72 kB de caché) | 6.900.000 [43] | 1990 | IBM | 1.000 nm | 1.283,61 milímetros cuadrados | 5,375 |
Motorola 68040 (32 bits, caché de 8 KB) | 1.200.000 | 1990 | Motorola | 650 nm | 152 milímetros cuadrados | 7.900 |
R4000 (64 bits, 16 KB de caché) | 1.350.000 | 1991 | MIPS | 1.000 nm | 213 milímetros cuadrados | 6.340 |
ARM 6 (32 bits, sin caché para esta variante de 60 bits) | 35.000 | 1991 | BRAZO | 800 nm | ? | ? |
Hitachi SH-1 (32 bits, sin caché) | 600.000 [44] | 1992 [45] | Hitachi | 800 nm | 100 mm2 | 6.000 |
Intel i960CF (32 bits, caché) | 900.000 [41] | 1992 | Intel | ? | 125 milímetros cuadrados | 7.200 |
Alpha 21064 (64 bits, 290 pines; 16 KB de caché) | 1.680.000 | 1992 | DIC | 750 nm | 233,52 milímetros cuadrados | 7,190 |
Hitachi HARP-1 (32 bits, caché) | 2.800.000 [46] | 1993 | Hitachi | 500 nm | 267 milímetros cuadrados | 10.500 |
Pentium (32 bits, 16 KB de caché) | 3.100.000 | 1993 | Intel | 800 nm | 294 milímetros cuadrados | 10.500 |
POWER2 (módulo de 8 chips, 288 kB de caché) | 23.037.000 [47] | 1993 | IBM | 720 nm | 1.217,39 milímetros cuadrados | 18,923 |
ARM700 (32 bits; caché de 8 KB) | 578.977 [48] | 1994 | BRAZO | 700 nm | 68,51 mm2 | 8,451 |
MuP21 (21 bits, [49] 40 pines; incluye video ) | 7.000 [50] | 1994 | Empresas Offete | 1.200 nm | ? | ? |
Motorola 68060 (32 bits, 16 KB de caché) | 2.500.000 | 1994 | Motorola | 600 nm | 218 milímetros cuadrados | 11.500 |
PowerPC 601 (32 bits, 32 KB de caché) | 2.800.000 [51] | 1994 | Apple, IBM y Motorola | 600 nm | 121 milímetros cuadrados | 23.000 |
PowerPC 603 (32 bits, 16 KB de caché) | 1.600.000 [52] | 1994 | Apple, IBM y Motorola | 500 nm | 84,76 mm2 | 18.900 |
PowerPC 603e (32 bits, 32 KB de caché) | 2.600.000 [53] | 1995 | Apple, IBM y Motorola | 500 nm | 98 milímetros cuadrados | 26.500 |
Alpha 21164 EV5 (64 bits, caché de 112 kB) | 9.300.000 [54] | 1995 | DIC | 500 nm | 298,65 mm2 | 31.140 |
SA-110 (32 bits, 32 KB de caché) | 2.500.000 [29] | 1995 | Bellota, DEC, Manzana | 350 nm | 50 mm2 | 50.000 |
Pentium Pro (32 bits, 16 KB de cachés; [55] caché L2 en el paquete, pero en una matriz separada) | 5.500.000 [56] | 1995 | Intel | 500 nm | 307 milímetros cuadrados | 18.000 |
PA-8000 de 64 bits, sin caché | 3.800.000 [57] | 1995 | caballos de fuerza | 500 nm | 337,69 milímetros cuadrados | 11.300 |
Alpha 21164A EV56 (64 bits, caché de 112 kB) | 9.660.000 [58] | 1996 | DIC | 350 nm | 208,8 mm2 | 46.260 |
AMD K5 (32 bits, caché) | 4.300.000 | 1996 | AMD | 500 nm | 251 milímetros cuadrados | 17.000 |
Pentium II Klamath (32 bits, SIMD de 64 bits , cachés) | 7.500.000 | 1997 | Intel | 350 nm | 195 milímetros cuadrados | 39.000 |
AMD K6 (32 bits, caché) | 8.800.000 | 1997 | AMD | 350 nm | 162 milímetros cuadrados | 54.000 |
F21 (21 bits; incluye, por ejemplo, vídeo ) | 15.000 | 1997 [50] | Empresas Offete | ? | ? | ? |
AVR (8 bits, 40 pines; con memoria) | 140.000 (48.000 excl. memoria [59] ) | 1997 | VLSI nórdico / Atmel | ? | ? | ? |
Pentium II Deschutes (32 bits, caché grande) | 7.500.000 | 1998 | Intel | 250 nm | 113 milímetros cuadrados | 66.000 |
Alpha 21264 EV6 (64 bits) | 15.200.000 [60] | 1998 | DIC | 350 nm | 313,96 mm2 | 48.400 |
Alpha 21164PC PCA57 (64 bits, caché de 48 kB) | 5.700.000 | 1998 | Samsung | 280 nm | 100,5 mm2 | 56.700 |
Hitachi SH-4 (32 bits, caché) [61] | 3.200.000 [62] | 1998 | Hitachi | 250 nm | 57,76 mm2 | 55.400 |
ARM 9TDMI (32 bits, sin caché) | 111.000 [29] | 1999 | Bellota | 350 nm | 4,8 mm2 | 23.100 |
Pentium III Katmai (32 bits, SIMD de 128 bits, cachés) | 9.500.000 | 1999 | Intel | 250 nm | 128 milímetros cuadrados | 74.000 |
Emotion Engine (64 bits, SIMD de 128 bits , caché) | 10.500.000 [63] – 13.500.000 [64] | 1999 | Sony , Toshiba | 250 nm | 239,7 mm2 [ 63] | 43.800 56.300 |
Pentium II Mobile Dixon (32 bits, caché) | 27.400.000 | 1999 | Intel | 180 nm | 180 milímetros cuadrados | 152.000 |
AMD K6-III (32 bits, caché) | 21.300.000 | 1999 | AMD | 250 nm | 118 milímetros cuadrados | 181.000 |
AMD K7 (32 bits, caché) | 22.000.000 | 1999 | AMD | 250 nm | 184 milímetros cuadrados | 120.000 |
Gekko (32 bits, caché grande) | 21.000.000 [65] | 2000 | IBM, Nintendo | 180 nm | 43 milímetros cuadrados | 490.000 (cheque) |
Pentium III Coppermine (32 bits, caché grande) | 21.000.000 | 2000 | Intel | 180 nm | 80 mm2 | 263.000 |
Pentium 4 Willamette (32 bits, caché grande) | 42.000.000 | 2000 | Intel | 180 nm | 217 milímetros cuadrados | 194.000 |
SPARC64 V (64 bits, caché grande) | 191.000.000 [66] | 2001 | Fujitsu | 130 nm [67] | 290 milímetros cuadrados | 659.000 |
Pentium III Tualatin (32 bits, caché grande) | 45.000.000 | 2001 | Intel | 130 nm | 81 milímetros cuadrados | 556.000 |
Pentium 4 Northwood (32 bits, caché grande) | 55.000.000 | 2002 | Intel | 130 nm | 145 milímetros cuadrados | 379.000 |
Itanium 2 McKinley (64 bits, caché grande) | 220.000.000 | 2002 | Intel | 180 nm | 421 milímetros cuadrados | 523.000 |
Alpha 21364 (64 bits, 946 pines, SIMD, cachés muy grandes) | 152.000.000 [13] | 2003 | DIC | 180 nm | 397 milímetros cuadrados | 383.000 |
AMD K7 Barton (32 bits, caché grande) | 54.300.000 | 2003 | AMD | 130 nm | 101 milímetros cuadrados | 538.000 |
AMD K8 (64 bits, caché grande) | 105.900.000 | 2003 | AMD | 130 nm | 193 milímetros cuadrados | 548.700 |
Pentium M Banias (32 bits) | 77.000.000 [68] | 2003 | Intel | 130 nm | 83 milímetros cuadrados | 928.000 |
Itanium 2 Madison 6M (64 bits) | 410.000.000 | 2003 | Intel | 130 nm | 374 milímetros cuadrados | 1.096.000 |
PlayStation 2 de un solo chip (CPU + GPU) | 53.500.000 [69] | 2003 [70] | Sony, Toshiba | 90 nm [71] 130 nm [72] [73] | 86 milímetros cuadrados | 622.100 |
Pentium 4 Prescott (32 bits, caché grande) | 112.000.000 | 2004 | Intel | 90 nm | 110 milímetros cuadrados | 1.018.000 |
Pentium M Dothan (32 bits) | 144.000.000 [74] | 2004 | Intel | 90 nm | 87 milímetros cuadrados | 1.655.000 |
SPARC64 V+ (64 bits, caché grande) | 400.000.000 [75] | 2004 | Fujitsu | 90 nm | 294 milímetros cuadrados | 1.360.000 |
Itanium 2 (64 bits; 9 MB de caché) | 592.000.000 | 2004 | Intel | 130 nm | 432 milímetros cuadrados | 1.370.000 |
Pentium 4 Prescott-2M (32 bits, caché grande) | 169.000.000 | 2005 | Intel | 90 nm | 143 milímetros cuadrados | 1.182.000 |
Pentium D Smithfield (64 bits, caché grande) | 228.000.000 | 2005 | Intel | 90 nm | 206 milímetros cuadrados | 1.107.000 |
Xenon (64 bits, SIMD de 128 bits, caché grande) | 165.000.000 | 2005 | IBM | 90 nm | ? | ? |
Celda (32 bits, caché) | 250.000.000 [76] | 2005 | Sony, IBM, Toshiba | 90 nm | 221 milímetros cuadrados | 1.131.000 |
Pentium 4 Cedar Mill (32 bits, caché grande) | 184.000.000 | 2006 | Intel | 65 nm | 90 milímetros cuadrados | 2.044.000 |
Pentium D Presler (64 bits, caché grande) | 362.000.000 [77] | 2006 | Intel | 65 nm | 162 milímetros cuadrados | 2.235.000 |
Core 2 Duo Conroe (doble núcleo de 64 bits, cachés grandes) | 291.000.000 | 2006 | Intel | 65 nm | 143 milímetros cuadrados | 2.035.000 |
Itanium 2 de doble núcleo (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 1.700.000.000 [78] | 2006 | Intel | 90 nm | 596 milímetros cuadrados | 2.852.000 |
AMD K10 de cuatro núcleos, 2 M L3 (64 bits, cachés grandes) | 463.000.000 [79] | 2007 | AMD | 65 nm | 283 milímetros cuadrados | 1.636.000 |
ARM Cortex-A9 (32 bits, SIMD (opcional) , cachés) | 26.000.000 [80] | 2007 | BRAZO | 45 nm | 31 milímetros 2 | 839.000 |
Core 2 Duo Wolfdale (doble núcleo de 64 bits, SIMD , cachés) | 411.000.000 | 2007 | Intel | 45 nm | 107 milímetros cuadrados | 3.841.000 |
POWER6 (64 bits, cachés grandes) | 789.000.000 | 2007 | IBM | 65 nm | 341 milímetros cuadrados | 2.314.000 |
Core 2 Duo Allendale (doble núcleo de 64 bits, SIMD , cachés grandes) | 169.000.000 | 2007 | Intel | 65 nm | 111 milímetros cuadrados | 1.523.000 |
Uniphier | 250.000.000 [81] | 2007 | Matsushita | 45 nm | ? | ? |
SPARC64 VI (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 540.000.000 | 2007 [82] | Fujitsu | 90 nm | 421 milímetros cuadrados | 1.283.000 |
Core 2 Duo Wolfdale 3M (doble núcleo de 64 bits, SIMD , cachés grandes) | 230.000.000 | 2008 | Intel | 45 nm | 83 milímetros cuadrados | 2.771.000 |
Core i7 (cuatro núcleos de 64 bits, SIMD , cachés grandes) | 731.000.000 | 2008 | Intel | 45 nm | 263 milímetros cuadrados | 2.779.000 |
AMD K10 de cuatro núcleos, 6 M L3 (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 758.000.000 [79] | 2008 | AMD | 45 nm | 258 milímetros cuadrados | 2.938.000 |
Atom (32 bits, caché grande) | 47.000.000 | 2008 | Intel | 45 nm | 24 mm2 | 1.958.000 |
SPARC64 VII (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 600.000.000 | 2008 [83] | Fujitsu | 65 nm | 445 milímetros cuadrados | 1.348.000 |
Xeon 7400 de seis núcleos (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 1.900.000.000 | 2008 | Intel | 45 nm | 503 milímetros cuadrados | 3.777.000 |
Opteron 2400 de seis núcleos (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 904.000.000 | 2009 | AMD | 45 nm | 346 milímetros cuadrados | 2.613.000 |
SPARC64 VIIIfx (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 760.000.000 [84] | 2009 | Fujitsu | 45 nm | 513 milímetros cuadrados | 1.481.000 |
Atom ( Pineview ) 64 bits, 1 núcleo, caché L2 de 512 kB | 123.000.000 [85] | 2010 | Intel | 45 nm | 66 mm2 | 1.864.000 |
Atom ( Pineview ) 64 bits, 2 núcleos, 1 MB de caché L2 | 176.000.000 [86] | 2010 | Intel | 45 nm | 87 milímetros cuadrados | 2.023.000 |
SPARC T3 (16 núcleos, 64 bits, SIMD , cachés grandes) | 1.000.000.000 [87] | 2010 | Sol / Oráculo | 40 nm | 377 milímetros cuadrados | 2.653.000 |
Core i7 de seis núcleos (Gulftown) | 1.170.000.000 | 2010 | Intel | 32 nm | 240 milímetros cuadrados | 4.875.000 |
POWER7 32M L3 (8 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés grandes) | 1.200.000.000 | 2010 | IBM | 45 nm | 567 milímetros cuadrados | 2.116.000 |
Procesador quad-core z196 [88] (64 bits, cachés muy grandes) | 1.400.000.000 | 2010 | IBM | 45 nm | 512 milímetros cuadrados | 2.734.000 |
Itanium Tukwila de cuatro núcleos (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 2.000.000.000 [89] | 2010 | Intel | 65 nm | 699 milímetros cuadrados | 2.861.000 |
Xeon Nehalem-EX (8 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés grandes) | 2.300.000.000 [90] | 2010 | Intel | 45 nm | 684 milímetros cuadrados | 3.363.000 |
SPARC64 IXfx (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 1.870.000.000 [91] | 2011 | Fujitsu | 40 nm | 484 milímetros cuadrados | 3.864.000 |
Cuatro núcleos + GPU Core i7 (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 1.160.000.000 | 2011 | Intel | 32 nm | 216 milímetros cuadrados | 5.370.000 |
Procesador Core i7 de seis núcleos /Xeon E5 de ocho núcleos (Sandy Bridge-E/EP) (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 2.270.000.000 [92] | 2011 | Intel | 32 nm | 434 milímetros cuadrados | 5.230.000 |
Xeon Westmere-EX (10 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés grandes) | 2.600.000.000 | 2011 | Intel | 32 nm | 512 milímetros cuadrados | 5.078.000 |
Atom "Medfield" (64 bits) | 432.000.000 [93] | 2012 | Intel | 32 nm | 64 milímetros cuadrados | 6.750.000 |
SPARC64 X (64 bits, SIMD , cachés) | 2.990.000.000 [94] | 2012 | Fujitsu | 28 nm | 600 mm2 | 4.983.000 |
AMD Bulldozer (8 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés) | 1.200.000.000 [95] | 2012 | AMD | 32 nm | 315 milímetros cuadrados | 3.810.000 |
Procesador de cuatro núcleos + GPU AMD Trinity (64 bits, SIMD , cachés) | 1.303.000.000 | 2012 | AMD | 32 nm | 246 milímetros cuadrados | 5.297.000 |
Procesador de cuatro núcleos + GPU Core i7 Ivy Bridge (64 bits, SIMD , cachés) | 1.400.000.000 | 2012 | Intel | 22 nm | 160 milímetros cuadrados | 8.750.000 |
POWER7+ (8 núcleos de 64 bits, SIMD , caché L3 de 80 MB) | 2.100.000.000 | 2012 | IBM | 32 nm | 567 milímetros cuadrados | 3.704.000 |
Procesador zEC12 de seis núcleos (64 bits, SIMD , cachés grandes) | 2.750.000.000 | 2012 | IBM | 32 nm | 597 milímetros cuadrados | 4.606.000 |
Itanium Poulson (8 núcleos, 64 bits, SIMD , cachés) | 3.100.000.000 | 2012 | Intel | 32 nm | 544 milímetros cuadrados | 5.699.000 |
Xeon Phi (61 núcleos, 32 bits, SIMD de 512 bits , cachés) | 5.000.000.000 [96] | 2012 | Intel | 22 nm | 720 milímetros cuadrados | 6.944.000 |
Apple A7 ( ARM64 de doble núcleo de 64/32 bits , " SoC móvil ", SIMD , cachés) | 1.000.000.000 | 2013 | Manzana | 28 nm | 102 milímetros cuadrados | 9.804.000 |
Procesador Core i7 Ivy Bridge E de seis núcleos (64 bits, SIMD , cachés) | 1.860.000.000 | 2013 | Intel | 22 nm | 256 milímetros cuadrados | 7.266.000 |
POWER8 (12 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés) | 4.200.000.000 | 2013 | IBM | 22 nm | 650 milímetros cuadrados | 6.462.000 |
SoC principal de Xbox One (64 bits, SIMD , cachés) | 5.000.000.000 | 2013 | Microsoft , AMD | 28 nm | 363 milímetros cuadrados | 13.770.000 |
Cuatro núcleos + GPU Core i7 Haswell (64 bits, SIMD , cachés) | 1.400.000.000 [97] | 2014 | Intel | 22 nm | 177 milímetros cuadrados | 7.910.000 |
Apple A8 (SoC móvil ARM64 de doble núcleo de 64/32 bits, SIMD , cachés) | 2.000.000.000 | 2014 | Manzana | 20 nm | 89 milímetros cuadrados | 22.470.000 |
Core i7 Haswell-E (8 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés) | 2.600.000.000 [98] | 2014 | Intel | 22 nm | 355 milímetros cuadrados | 7.324.000 |
Apple A8X (SoC móvil ARM64 de tres núcleos de 64/32 bits, SIMD , cachés) | 3.000.000.000 [99] | 2014 | Manzana | 20 nm | 128 milímetros cuadrados | 23.440.000 |
Xeon Ivy Bridge-EX (15 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés) | 4.310.000.000 [100] | 2014 | Intel | 22 nm | 541 milímetros cuadrados | 7.967.000 |
Xeon Haswell-E5 (18 núcleos, 64 bits, SIMD , cachés) | 5.560.000.000 [101] | 2014 | Intel | 22 nm | 661 milímetros cuadrados | 8.411.000 |
Cuatro núcleos + GPU GT2 Core i7 Skylake K (64 bits, SIMD , cachés) | 1.750.000.000 | 2015 | Intel | 14 nm | 122 milímetros cuadrados | 14.340.000 |
Iris Core i7 Broadwell-U de doble núcleo + GPU (64 bits, SIMD , cachés) | 1.900.000.000 [102] | 2015 | Intel | 14 nm | 133 milímetros cuadrados | 14.290.000 |
Apple A9 (SoC móvil ARM64 de doble núcleo de 64/32 bits, SIMD , cachés) | 2.000.000.000+ | 2015 | Manzana | 14 nm ( Samsung ) | 96 mm2 ( Samsung ) | 20.800.000+ |
16 nm ( TSMC ) | 104,5 mm2 ( TSMC ) | 19.100.000+ | ||||
Apple A9X (SoC móvil ARM64 de doble núcleo de 64/32 bits, SIMD , cachés) | 3.000.000.000+ | 2015 | Manzana | 16 nm | 143,9 mm2 | 20.800.000+ |
IBM z13 (64 bits, cachés) | 3.990.000.000 | 2015 | IBM | 22 nm | 678 milímetros cuadrados | 5.885.000 |
Controlador de almacenamiento IBM z13 | 7.100.000.000 | 2015 | IBM | 22 nm | 678 milímetros cuadrados | 10.472.000 |
SPARC M7 (32 núcleos, 64 bits, SIMD , cachés) | 10.000.000.000 [103] | 2015 | Oráculo | 20 nm | ? | ? |
Core i7 Broadwell-E (10 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés) | 3.200.000.000 [104] | 2016 | Intel | 14 nm | 246 mm2 [ 105] | 13.010.000 |
Apple A10 Fusion (SoC móvil ARM64 de cuatro núcleos de 64/32 bits, SIMD , cachés) | 3.300.000.000 | 2016 | Manzana | 16 nm | 125 milímetros cuadrados | 26.400.000 |
HiSilicon Kirin 960 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos y 64/32 bits, SIMD , cachés) | 4.000.000.000 [106] | 2016 | Huawei | 16 nm | 110,00 mm2 | 36.360.000 |
Xeon Broadwell-E5 (22 núcleos, 64 bits, SIMD , cachés) | 7.200.000.000 [107] | 2016 | Intel | 14 nm | 456 milímetros cuadrados | 15.790.000 |
Xeon Phi (72 núcleos, 64 bits, SIMD de 512 bits , cachés) | 8.000.000.000 | 2016 | Intel | 14 nm | 683 milímetros cuadrados | 11.710.000 |
CPU Zip (32 bits, para FPGA ) | 1286 6-LUT [108] | 2016 | Tecnología Gisselquist | ? | ? | ? |
Qualcomm Snapdragon 835 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos y 64/32 bits, SIMD , cachés) | 3.000.000.000 [109] [110] | 2016 | Qualcomm | 10 nm | 72,3 mm2 | 41.490.000 |
Apple A11 Bionic (SoC móvil ARM64 de 64/32 bits y seis núcleos, SIMD , cachés) | 4.300.000.000 | 2017 | Manzana | 10 nm | 89,23 mm2 | 48.190.000 |
AMD Zen CCX (unidad compleja de núcleos: 4 núcleos, 8 MB de caché L3) | 1.400.000.000 [111] | 2017 | AMD | 14 nm (GF-14LPP) | 44 milímetros cuadrados | 31.800.000 |
SoC AMD Zeppelin Ryzen (64 bits, SIMD , cachés) | 4.800.000.000 [112] | 2017 | AMD | 14 nm | 192 milímetros cuadrados | 25.000.000 |
AMD Ryzen 5 1600 Ryzen (64 bits, SIMD , cachés) | 4.800.000.000 [113] | 2017 | AMD | 14 nm | 213 milímetros cuadrados | 22.530.000 |
IBM z14 (64 bits, SIMD , cachés) | 6.100.000.000 | 2017 | IBM | 14 nm | 696 milímetros cuadrados | 8.764.000 |
Controlador de almacenamiento IBM z14 (64 bits) | 9.700.000.000 | 2017 | IBM | 14 nm | 696 milímetros cuadrados | 13.940.000 |
HiSilicon Kirin 970 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos y 64/32 bits, SIMD , cachés) | 5.500.000.000 [114] | 2017 | Huawei | 10 nm | 96,72 mm2 | 56.900.000 |
SoC principal de Xbox One X (Project Scorpio) (64 bits, SIMD , cachés) | 7.000.000.000 [115] | 2017 | Microsoft, AMD | 16 nm | 360 mm2 [ 115] | 19.440.000 |
Xeon Platinum 8180 (28 núcleos, 64 bits, SIMD , cachés) | 8.000.000.000 [116] | 2017 | Intel | 14 nm | ? | ? |
Xeon (sin especificar) | 7.100.000.000 [117] | 2017 | Intel | 14 nm | 672 milímetros cuadrados | 10.570.000 |
POWER9 (64 bits, SIMD , cachés) | 8.000.000.000 | 2017 | IBM | 14 nm | 695 milímetros cuadrados | 11.500.000 |
Chip de plataforma base Freedom U500 (E51, 4×U54) RISC-V (64 bits, cachés) | 250.000.000 [118] | 2017 | SiCinco | 28 nm | ~30 mm2 | 8.330.000 |
SPARC64 XII (12 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés) | 5.450.000.000 [119] | 2017 | Fujitsu | 20 nm | 795 milímetros cuadrados | 6.850.000 |
Apple A10X Fusion (SoC móvil ARM64 de 64/32 bits y seis núcleos, SIMD , cachés) | 4.300.000.000 [120] | 2017 | Manzana | 10 nm | 96,40 mm2 | 44.600.000 |
Centriq 2400 (64/32 bits, SIMD , cachés) | 18.000.000.000 [121] | 2017 | Qualcomm | 10 nm | 398 milímetros cuadrados | 45.200.000 |
AMD Epyc (32 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés) | 19.200.000.000 | 2017 | AMD | 14 nm | 768 milímetros cuadrados | 25.000.000 |
Qualcomm Snapdragon 845 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos y 64/32 bits, SIMD , cachés) | 5.300.000.000 [122] | 2017 | Qualcomm | 10 nm | 94 milímetros cuadrados | 56.400.000 |
Qualcomm Snapdragon 850 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos y 64/32 bits, SIMD , cachés) | 5.300.000.000 [123] | 2017 | Qualcomm | 10 nm | 94 milímetros cuadrados | 56.400.000 |
HiSilicon Kirin 710 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos, SIMD , cachés) | 5.500.000.000 [124] | 2018 | Huawei | 12 nm | ? | ? |
Apple A12 Bionic (SoC móvil ARM64 de seis núcleos, SIMD , cachés) | 6.900.000.000 [125] [126] | 2018 | Manzana | 7 nm | 83,27 mm2 | 82.900.000 |
HiSilicon Kirin 980 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos, SIMD , cachés) | 6.900.000.000 [127] | 2018 | Huawei | 7 nm | 74,13 mm2 | 93.100.000 |
Qualcomm Snapdragon 8cx / SCX8180 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos, SIMD , cachés) | 8.500.000.000 [128] | 2018 | Qualcomm | 7 nm | 112 milímetros cuadrados | 75.900.000 |
Apple A12X Bionic (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos y 64/32 bits, SIMD , cachés) | 10.000.000.000 [129] | 2018 | Manzana | 7 nm | 122 milímetros cuadrados | 82.000.000 |
Fujitsu A64FX (64/32 bits, SIMD , cachés) | 8.786.000.000 [130] | 2018 [131] | Fujitsu | 7 nm | ? | ? |
SoC Tegra Xavier (64/32 bits) | 9.000.000.000 [132] | 2018 | Nvidia | 12 nm | 350 milímetros cuadrados | 25.700.000 |
Qualcomm Snapdragon 855 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos y 64/32 bits, SIMD , cachés) | 6.700.000.000 [133] | 2018 | Qualcomm | 7 nm | 73 milímetros cuadrados | 91.800.000 |
Núcleo AMD Zen 2 (0,5 MB L2 + 4 MB de caché L3) | 475.000.000 [134] | 2019 | AMD | 7 nm | 7,83 mm2 | 60.664.000 |
AMD Zen 2 CCX (complejo de núcleos: 4 núcleos, 16 MB de caché L3) | 1.900.000.000 [134] | 2019 | AMD | 7 nm | 31,32 mm2 | 60.664.000 |
AMD Zen 2 CCD (complejo de núcleos: 8 núcleos, 32 MB de caché L3) | 3.800.000.000 [134] | 2019 | AMD | 7 nm | 74 milímetros cuadrados | 51.350.000 |
Módulo de E/S del cliente AMD Zen 2 | 2.090.000.000 [134] | 2019 | AMD | 12 nm | 125 milímetros cuadrados | 16.720.000 |
Placa de E/S para servidor AMD Zen 2 | 8.340.000.000 [134] | 2019 | AMD | 12 nm | 416 milímetros cuadrados | 20.050.000 |
AMD Zen 2 Renoir muere | 9.800.000.000 [134] | 2019 | AMD | 7 nm | 156 milímetros cuadrados | 62.820.000 |
AMD Ryzen 7 3700X (64 bits, SIMD , cachés, matriz de E/S) | 5.990.000.000 [135] [e] | 2019 | AMD | 7 y 12 nm ( TSMC ) | 199 (74+125) milímetros cuadrados | 30.100.000 |
Kirin 990 4G de HiSilicon | 8.000.000.000 [136] | 2019 | Huawei | 7 nm | 90,00 mm2 | 89.000.000 |
Apple A13 (SoC móvil ARM64 de 64 bits y seis núcleos, SIMD , cachés) | 8.500.000.000 [137] [138] | 2019 | Manzana | 7 nm | 98,48 mm2 | 86.300.000 |
Chip IBM z15 CP (12 núcleos, 256 MB de caché L3) | 9.200.000.000 [139] | 2019 | IBM | 14 nm | 696 milímetros cuadrados | 13.220.000 |
Chip IBM z15 SC (caché L4 de 960 MB) | 12.200.000.000 | 2019 | IBM | 14 nm | 696 milímetros cuadrados | 17.530.000 |
AMD Ryzen 9 3900X (64 bits, SIMD , cachés, matriz de E/S) | 9.890.000.000 [140] [141] | 2019 | AMD | 7 y 12 nm ( TSMC ) | 273 milímetros cuadrados | 36.230.000 |
Kirin 990 5G de HiSilicon | 10.300.000.000 [142] | 2019 | Huawei | 7 nm | 113,31 mm2 | 90.900.000 |
AWS Graviton2 (64 bits, 64 núcleos, basado en ARM, SIMD , cachés) [143] [144] | 30.000.000.000 | 2019 | Amazonas | 7 nm | ? | ? |
AMD Epyc Rome (64 bits, SIMD , cachés) | 39.540.000.000 [140] [141] | 2019 | AMD | 7 y 12 nm ( TSMC ) | 1.008 milímetros cuadrados | 39.226.000 |
Qualcomm Snapdragon 865 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos y 64/32 bits, SIMD , cachés) | 10.300.000.000 [145] | 2019 | Qualcomm | 7 nm | 83,54 mm2 [ 146] | 123.300.000 |
TI Jacinto TDA4VM (ARM A72, DSP, SRAM) | 3.500.000.000 [147] | 2020 | Instrumentos de Texas | 16 nm | ? | ? |
Apple A14 Bionic (SoC móvil ARM64 de 64 bits y seis núcleos, SIMD , cachés) | 11.800.000.000 [148] | 2020 | Manzana | 5 nm | 88 milímetros cuadrados | 134.100.000 |
Apple M1 (SoC ARM64 de ocho núcleos y 64 bits, SIMD , cachés) | 16.000.000.000 [149] | 2020 | Manzana | 5 nm | 119 milímetros cuadrados | 134.500.000 |
Kirin 9000 de HiSilicon | 15.300.000.000 [150] [151] | 2020 | Huawei | 5 nm | 114 milímetros cuadrados | 134.200.000 |
AMD Zen 3 CCX (unidad compleja de núcleos: 8 núcleos, 32 MB de caché L3) | 4.080.000.000 [152] | 2020 | AMD | 7 nm | 68 milímetros cuadrados | 60.000.000 |
CCD (matriz compleja de núcleo) AMD Zen 3 | 4.150.000.000 [152] | 2020 | AMD | 7 nm | 81 milímetros cuadrados | 51.230.000 |
Núcleo Rocket Lake de 11.ª generación (8 núcleos de 64 bits, SIMD , cachés grandes) | 6.000.000.000+ [153] | 2021 | Intel | 14 nm +++ 14 nm | 276 mm2 [ 154] | 37.500.000 o 21.800.000+ [155] |
AMD Ryzen 7 5800H (64 bits, SIMD , cachés, E/S y GPU) | 10.700.000.000 [156] | 2021 | AMD | 7 nm | 180 milímetros cuadrados | 59.440.000 |
AMD Epyc 7763 (Milan) (64 núcleos, 64 bits) | ? | 2021 | AMD | 7 y 12 nm ( TSMC ) | 1.064 mm2 ( 8×81+416) [157] | ? |
Manzana A15 | 15.000.000.000 [158] [159] | 2021 | Manzana | 5 nm | 107,68 mm2 | 139.300.000 |
Apple M1 Pro (10 núcleos, 64 bits) | 33.700.000.000 [160] | 2021 | Manzana | 5 nm | 245 mm2 [ 161] | 137.600.000 |
Apple M1 Max (10 núcleos, 64 bits) | 57.000.000.000 [162] [160] | 2021 | Manzana | 5 nm | 420,2 mm2 [ 163] | 135.600.000 |
Módulo de doble chip Power10 (30 núcleos SMT8 o 60 núcleos SMT4) | 36.000.000.000 [164] | 2021 | IBM | 7 nm | 1.204 milímetros cuadrados | 29.900.000 |
Dimensión 9000 (SoC ARM64) | 15.300.000.000 [165] [166] | 2021 | Mediatek | 4 nm (TSMC N4) | ? | ? |
Apple A16 (sistema en chip ARM64) | 16.000.000.000 [167] [168] [169] | 2022 | Manzana | 4 nm | ? | ? |
Apple M1 Ultra (módulo de doble chip, 2×10 núcleos) | 114.000.000.000 [170] [171] | 2022 | Manzana | 5 nm | 840,5 mm2 [ 163] | 135.600.000 |
AMD Epyc 7773X (Milan-X) (módulo multichip, 64 núcleos, 768 MB de caché L3) | 26.000.000.000 + Milán [172] | 2022 | AMD | 7 y 12 nm ( TSMC ) | 1.352 mm 2 (Milán + 8×36) [172] | ? |
Módulo de doble chip IBM Telum (2×8 núcleos, 2×256 MB de caché) | 45.000.000.000 [173] [174] | 2022 | IBM | 7 nm (Samsung) | 1.060 milímetros cuadrados | 42.450.000 |
Apple M2 (SoC ARM64 de 64 bits y diez núcleos, SIMD , cachés) | 20.000.000.000 [175] | 2022 | Manzana | 5 nm | ? | ? |
Dimensión 9200 (SoC ARM64) | 17.000.000.000 [176] [177] [178] | 2022 | Mediatek | 4 nm (TSMC N4P) | ? | ? |
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 (SoC móvil ARM64 de ocho núcleos, SIMD , cachés) | 16.000.000.000 | 2022 | Qualcomm | 4 nm | 268 milímetros cuadrados | 59.701.492 |
Módulo de 13 chips AMD EPYC Genoa (4.ª generación/serie 9004) (hasta 96 núcleos y 384 MB (L3) + 96 MB (L2) de caché) [179] | 90.000.000.000 [180] [181] | 2022 | AMD | 5 nm (CCD) 6 nm (IOD) | 1.263,34 mm2 12 ×72,225 (CCD) 396,64 (IOD) [182] [183] | 71.240.000 |
Kirin 9000 de HiSilicon | 9.510.000.000 [184] | 2023 | Huawei | 7 nm | 107 milímetros cuadrados | 107.690.000 |
Apple M4 (SoC ARM64 de 64 bits y diez núcleos, SIMD , cachés) | 28.000.000.000 [185] | 2024 | Manzana | 3 nm | ? | ? |
Apple M3 (SoC ARM64 de ocho núcleos y 64 bits, SIMD , cachés) | 25.000.000.000 [186] | 2023 | Manzana | 3 nm | ? | ? |
Apple M3 Pro (SoC ARM64 de 64 bits y dos núcleos, SIMD , cachés) | 37.000.000.000 [186] | 2023 | Manzana | 3 nm | ? | ? |
Apple M3 Max (SoC ARM64 de 16 núcleos y 64 bits, SIMD , cachés) | 92.000.000.000 [186] | 2023 | Manzana | 3 nm | ? | ? |
Manzana A17 | 19.000.000.000 [187] | 2023 | Manzana | 3 nm | 103,8 mm2 | 183.044.315 |
Módulo de cuatro chips Sapphire Rapids (hasta 60 núcleos y 112,5 MB de caché) [188] | 44.000.000.000– 48.000.000.000 [189] | 2023 | Intel | 10 nm ESF (Intel 7) | 1.600 mm2 | 27.500.000– 30.000.000 |
Apple M2 Pro (SoC ARM64 de 12 núcleos y 64 bits, SIMD , cachés) | 40.000.000.000 [190] | 2023 | Manzana | 5 nm | ? | ? |
Apple M2 Max (SoC ARM64 de 12 núcleos y 64 bits, SIMD , cachés) | 67.000.000.000 [190] | 2023 | Manzana | 5 nm | ? | ? |
Apple M2 Ultra (dos matrices M2 Max) | 134.000.000.000 [6] | 2023 | Manzana | 5 nm | ? | ? |
Módulo de 9 chips AMD Epyc Bergamo (4.ª generación/serie 97X4) (hasta 128 núcleos y 256 MB (L3) + 128 MB (L2) de caché) | 82.000.000.000 [191] | 2023 | AMD | 5 nm (CCD) 6 nm (IOD) | ? | ? |
AMD Instinct MI300A (módulo multichip, 24 núcleos, memoria GPU de 128 GB + caché de 256 MB (LLC/L3)) | 146.000.000.000 [192] [193] | 2023 | AMD | 5 nm (CCD, GCD) 6 nm (IOD) | 1.017 milímetros cuadrados | 144.000.000 |
Procesador | Conteo de transistores | Año | Diseñador | Proceso ( nm ) | Área ( mm2 ) | Densidad de transistores ( tr./mm2 ) |
Una unidad de procesamiento gráfico (GPU) es un circuito electrónico especializado diseñado para manipular y alterar rápidamente la memoria para acelerar la construcción de imágenes en un búfer de cuadros destinado a ser enviado a una pantalla.
El término "diseñador" hace referencia a la empresa tecnológica que diseña la lógica del chip del circuito integrado (como Nvidia y AMD ). El término "fabricante" ("Fab.") hace referencia a la empresa de semiconductores que fabrica el chip utilizando su proceso de fabricación de semiconductores en una fundición (como TSMC y Samsung Semiconductor ). La cantidad de transistores en un chip depende del proceso de fabricación del fabricante, y los nodos de semiconductores más pequeños suelen permitir una mayor densidad de transistores y, por lo tanto, una mayor cantidad de transistores.
La memoria de acceso aleatorio (RAM) que viene con las GPU (como VRAM , SGRAM o HBM ) aumenta en gran medida el recuento total de transistores, y la memoria generalmente representa la mayoría de los transistores en una tarjeta gráfica . Por ejemplo, Tesla P100 de Nvidia tiene 15 mil millones de FinFET (16 nm) en la GPU además de 16 GB de memoria HBM2 , lo que suma un total de aproximadamente 150 mil millones de MOSFET en la tarjeta gráfica. [194] La siguiente tabla no incluye la memoria. Para conocer los recuentos de transistores de memoria, consulte la sección Memoria a continuación.
Procesador | Conteo de transistores | Año | Diseñador(es) | Fab(s) | Proceso | Área | Densidad de transistores ( tr./mm2 ) | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
μPD7220 GDC | 40.000 | 1982 | Comité ejecutivo nacional | Comité ejecutivo nacional | 5.000 nm | ? | ? | [195] |
ARTICULO HD63484 | 60.000 | 1984 | Hitachi | Hitachi | ? | ? | ? | [196] |
CBM Agnus | 21.000 | 1985 | Comodoro | CSG | 5.000 nm | ? | ? | [197] [198] |
YM7101 Módulo de distribución variable | 100.000 | 1988 | Yamaha , Sega | Yamaha | ? | ? | ? | [199] |
Tom y Jerry | 750.000 | 1993 | Llamarada | IBM | ? | ? | ? | [199] |
VDP1 | 1.000.000 | 1994 | Sega | Hitachi | 500 nm | ? | ? | [200] |
GPU de Sony | 1.000.000 | 1994 | Toshiba | LSI | 500 nm | ? | ? | [201] [202] [203] |
NV1 | 1.000.000 | 1995 | Nvidia , Sega | SGS | 500 nm | 90 milímetros cuadrados | 11.000 | |
Coprocesador de realidad | 2.600.000 | 1996 | SGI | Comité ejecutivo nacional | 350 nm | 81 milímetros cuadrados | 32.100 | [204] |
Potencia VR | 1.200.000 | 1996 | Vídeo Lógica | Comité ejecutivo nacional | 350 nm | ? | ? | [205] |
Gráficos vudú | 1.000.000 | 1996 | 3dfx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 500 nm | ? | ? | [206] [207] |
Fiebre del vudú | 1.000.000 | 1997 | 3dfx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 500 nm | ? | ? | [206] [207] |
NV3 | 3.500.000 | 1997 | Nvidia | SGS y TSMC | 350 nm | 90 milímetros cuadrados | 38.900 | [208] [209] |
i740 | 3.500.000 | 1998 | Intel , Real3D | Real3D | 350 nm | ? | ? | [206] [207] |
Vudú 2 | 4.000.000 | 1998 | 3dfx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 350 nm | ? | ? | |
Fiebre del vudú | 4.000.000 | 1998 | 3dfx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 350 nm | ? | ? | |
NV4 | 7.000.000 | 1998 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 350 nm | 90 milímetros cuadrados | 78.000 | [206] [209] |
PowerVR2 CLX2 | 10.000.000 | 1998 | Vídeo Lógica | Comité ejecutivo nacional | 250 nm | 116 milímetros cuadrados | 86.200 | [210] [211] [212] [213] |
PowerVR2 PMX1 | 6.000.000 | 1999 | Vídeo Lógica | Comité ejecutivo nacional | 250 nm | ? | ? | [214] |
Furia 128 | 8.000.000 | 1999 | ATI | TSMC, Universidad de Medicina Tradicional China | 250 nm | 70 mm2 | 114.000 | [207] |
Vudú 3 | 8.100.000 | 1999 | 3dfx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 250 nm | ? | ? | [215] |
Sintetizador de gráficos | 43.000.000 | 1999 | Sony , Toshiba | Sony , Toshiba | 180 nm | 279 milímetros cuadrados | 154.000 | [65] [216] [64] [63] |
NV5 | 15.000.000 | 1999 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 250 nm | 90 milímetros cuadrados | 167.000 | [207] |
NV10 | 17.000.000 | 1999 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 220 nm | 111 milímetros cuadrados | 153.000 | [217] [209] |
NV11 | 20.000.000 | 2000 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 180 nm | 65 mm2 | 308.000 | [207] |
NV15 | 25.000.000 | 2000 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 180 nm | 81 milímetros cuadrados | 309.000 | [207] |
Vudú 4 | 14.000.000 | 2000 | 3dfx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 220 nm | ? | ? | [206] [207] |
Vudú 5 | 28.000.000 | 2000 | 3dfx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 220 nm | ? | ? | [206] [207] |
100 riales | 30.000.000 | 2000 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 180 nm | 97 milímetros cuadrados | 309.000 | [207] |
Aleta | 51.000.000 | 2000 | Arte X | Comité ejecutivo nacional | 180 nm | 106 milímetros cuadrados | 481.000 | [65] [218] |
PowerVR3 KYRO | 14.000.000 | 2001 | Imaginación | CALLE | 250 nm | ? | ? | [206] [207] |
PowerVR3 KYRO II | 15.000.000 | 2001 | Imaginación | CALLE | 180 nm | |||
NV2A | 60.000.000 | 2001 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 150 nm | ? | ? | [206] [219] |
NV20 | 57.000.000 | 2001 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 150 nm | 128 milímetros cuadrados | 445.000 | [207] |
NV25 | 63.000.000 | 2002 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 150 nm | 142 milímetros cuadrados | 444.000 | |
NV28 | 36.000.000 | 2002 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 150 nm | 101 milímetros cuadrados | 356.000 | |
NV17/18 | 29.000.000 | 2002 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 150 nm | 65 mm2 | 446.000 | |
200 rands | 60.000.000 | 2001 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 150 nm | 68 milímetros cuadrados | 882.000 | |
300 rands | 107.000.000 | 2002 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 150 nm | 218 milímetros cuadrados | 490.800 | |
R360 | 117.000.000 | 2003 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 150 nm | 218 milímetros cuadrados | 536.700 | |
NV34 | 45.000.000 | 2003 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 150 nm | 124 milímetros cuadrados | 363.000 | |
NV34b | 45.000.000 | 2004 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 140 nm | 91 milímetros cuadrados | 495.000 | |
NV30 | 125.000.000 | 2003 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 130 nm | 199 milímetros cuadrados | 628.000 | |
NV31 | 80.000.000 | 2003 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 130 nm | 121 milímetros cuadrados | 661.000 | |
NV35/38 | 135.000.000 | 2003 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 130 nm | 207 milímetros cuadrados | 652.000 | |
NV36 | 82.000.000 | 2003 | Nvidia | IBM | 130 nm | 133 milímetros cuadrados | 617.000 | |
R480 | 160.000.000 | 2004 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 130 nm | 297 milímetros cuadrados | 538.700 | |
NV40 | 222.000.000 | 2004 | Nvidia | IBM | 130 nm | 305 milímetros cuadrados | 727.900 | |
NV44 | 75.000.000 | 2004 | Nvidia | IBM | 130 nm | 110 milímetros cuadrados | 681.800 | |
NV41 | 222.000.000 | 2005 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 110 nm | 225 milímetros cuadrados | 986.700 | [207] |
NV42 | 198.000.000 | 2005 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 110 nm | 222 milímetros cuadrados | 891.900 | |
NV43 | 146.000.000 | 2005 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 110 nm | 154 milímetros cuadrados | 948.100 | |
G70 | 303.000.000 | 2005 | Nvidia | TSMC, colegiado | 110 nm | 333 milímetros cuadrados | 909.900 | |
Xenos | 232.000.000 | 2005 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 90 nm | 182 milímetros cuadrados | 1.275.000 | [220] [221] |
Sintetizador de realidad RSX | 300.000.000 | 2005 | Nvidia, Sony | Sony | 90 nm | 186 milímetros cuadrados | 1.613.000 | [222] [223] |
R520 | 321.000.000 | 2005 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 90 nm | 288 milímetros cuadrados | 1.115.000 | [207] |
RV530 | 157.000.000 | 2005 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 90 nm | 150 milímetros cuadrados | 1.047.000 | |
RV515 | 107.000.000 | 2005 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 90 nm | 100 mm2 | 1.070.000 | |
R580 | 384.000.000 | 2006 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 90 nm | 352 milímetros cuadrados | 1.091.000 | |
G71 | 278.000.000 | 2006 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 90 nm | 196 milímetros cuadrados | 1.418.000 | |
G72 | 112.000.000 | 2006 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 90 nm | 81 milímetros cuadrados | 1.383.000 | |
G73 | 177.000.000 | 2006 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 90 nm | 125 milímetros cuadrados | 1.416.000 | |
G80 | 681.000.000 | 2006 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 90 nm | 480 milímetros cuadrados | 1.419.000 | |
Tesla G86 | 210.000.000 | 2007 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 80 nm | 127 milímetros cuadrados | 1.654.000 | |
Tesla G84 | 289.000.000 | 2007 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 80 nm | 169 milímetros cuadrados | 1.710.000 | |
RV560 | 330.000.000 | 2006 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 80 nm | 230 milímetros cuadrados | 1.435.000 | |
600 rupias | 700.000.000 | 2007 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 80 nm | 420 milímetros cuadrados | 1.667.000 | |
RV610 | 180.000.000 | 2007 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 65 nm | 85 milímetros cuadrados | 2.118.000 | [207] |
RV630 | 390.000.000 | 2007 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 65 nm | 153 milímetros cuadrados | 2.549.000 | |
G92 | 754.000.000 | 2007 | Nvidia | TSMC, Universidad de Medicina Tradicional China | 65 nm | 324 milímetros cuadrados | 2.327.000 | |
Tesla G94 | 505.000.000 | 2008 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 65 nm | 240 milímetros cuadrados | 2.104.000 | |
Tesla G96 | 314.000.000 | 2008 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 65 nm | 144 milímetros cuadrados | 2.181.000 | |
Tesla G98 | 210.000.000 | 2008 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 65 nm | 86 milímetros cuadrados | 2.442.000 | |
GT200 [224] | 1.400.000.000 | 2008 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 65 nm | 576 milímetros cuadrados | 2.431.000 | |
RV620 | 181.000.000 | 2008 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 55 nm | 67 milímetros cuadrados | 2.701.000 | [207] |
RV635 | 378.000.000 | 2008 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 55 nm | 135 milímetros cuadrados | 2.800.000 | |
RV710 | 242.000.000 | 2008 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 55 nm | 73 milímetros cuadrados | 3.315.000 | |
RV730 | 514.000.000 | 2008 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 55 nm | 146 milímetros cuadrados | 3.521.000 | |
RV670 | 666.000.000 | 2008 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 55 nm | 192 milímetros cuadrados | 3.469.000 | |
RV770 | 956.000.000 | 2008 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 55 nm | 256 milímetros cuadrados | 3.734.000 | |
RV790 | 959.000.000 | 2008 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 55 nm | 282 milímetros cuadrados | 3.401.000 | [225] [207] |
Tesla G92b | 754.000.000 | 2008 | Nvidia | TSMC, Universidad de Medicina Tradicional China | 55 nm | 260 milímetros cuadrados | 2.900.000 | [207] |
Tesla G94b | 505.000.000 | 2008 | Nvidia | TSMC, Universidad de Medicina Tradicional China | 55 nm | 196 milímetros cuadrados | 2.577.000 | |
Tesla G96b | 314.000.000 | 2008 | Nvidia | TSMC, Universidad de Medicina Tradicional China | 55 nm | 121 milímetros cuadrados | 2.595.000 | |
Tesla GT200b | 1.400.000.000 | 2008 | Nvidia | TSMC, Universidad de Medicina Tradicional China | 55 nm | 470 milímetros cuadrados | 2.979.000 | |
Tesla GT218 | 260.000.000 | 2009 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 57 milímetros cuadrados | 4.561.000 | [207] |
Tesla GT216 | 486.000.000 | 2009 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 100 mm2 | 4.860.000 | |
Tesla GT215 | 727.000.000 | 2009 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 144 milímetros cuadrados | 5.049.000 | |
RV740 | 826.000.000 | 2009 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 137 milímetros cuadrados | 6.029.000 | |
Ciprés RV870 | 2.154.000.000 | 2009 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 334 milímetros cuadrados | 6.449.000 | |
Enebro RV840 | 1.040.000.000 | 2009 | ATI | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 166 milímetros cuadrados | 6.265.000 | |
Secuoya RV830 | 627.000.000 | 2010 | AMD (ATI) | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 104 milímetros cuadrados | 6.029.000 | [207] |
Cedro RV810 | 292.000.000 | 2010 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 59 milímetros cuadrados | 4.949.000 | |
Caimán RV970 | 2.640.000.000 | 2010 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 389 milímetros cuadrados | 6.789.000 | |
Barts RV940 | 1.700.000.000 | 2010 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 255 milímetros cuadrados | 6.667.000 | |
Turcos RV930 | 716.000.000 | 2011 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 118 milímetros cuadrados | 6.068.000 | |
Caicos RV910 | 370.000.000 | 2011 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 67 milímetros cuadrados | 5.522.000 | |
GF100 Fermi | 3.200.000.000 | 2010 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 526 milímetros cuadrados | 6.084.000 | [226] |
GF110 Fermi | 3.000.000.000 | 2010 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 520 milímetros cuadrados | 5.769.000 | [226] |
GF104 Fermi | 1.950.000.000 | 2011 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 332 milímetros cuadrados | 5.873.000 | [207] |
GF106 Fermi | 1.170.000.000 | 2010 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 238 milímetros cuadrados | 4.916.000 | [207] |
GF108 Fermi | 585.000.000 | 2011 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 116 milímetros cuadrados | 5.043.000 | [207] |
GF119 Fermi | 292.000.000 | 2011 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | 79 milímetros cuadrados | 3.696.000 | [207] |
Tahití GCN1 | 4.312.711.873 | 2011 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 365 milímetros cuadrados | 11.820.000 | [227] |
Cabo Verde GCN1 | 1.500.000.000 | 2012 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 123 milímetros cuadrados | 12.200.000 | [207] |
Pitcairn GCN1 | 2.800.000.000 | 2012 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 212 milímetros cuadrados | 13.210.000 | [207] |
GK110 Kepler | 7.080.000.000 | 2012 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 561 milímetros cuadrados | 12.620.000 | [228] [229] |
GK104 Kepler | 3.540.000.000 | 2012 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 294 milímetros cuadrados | 12.040.000 | [230] |
GK106 Kepler | 2.540.000.000 | 2012 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 221 milímetros cuadrados | 11.490.000 | [207] |
GK107 Kepler | 1.270.000.000 | 2012 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 118 milímetros cuadrados | 10.760.000 | [207] |
GK208 Kepler | 1.020.000.000 | 2013 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 79 milímetros cuadrados | 12.910.000 | [207] |
Öland GCN1 | 1.040.000.000 | 2013 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 90 milímetros cuadrados | 11.560.000 | [207] |
Bonaire GCN2 | 2.080.000.000 | 2013 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 160 milímetros cuadrados | 13.000.000 | |
Durango ( Xbox One ) | 4.800.000.000 | 2013 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 375 milímetros cuadrados | 12.800.000 | [231] [232] |
Liverpool ( PlayStation 4 ) | ? | 2013 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 348 milímetros cuadrados | ? | [233] |
Hawái GCN2 | 6.300.000.000 | 2013 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 438 milímetros cuadrados | 14.380.000 | [207] |
GM200 Máximo | 8.000.000.000 | 2015 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 601 milímetros cuadrados | 13.310.000 | |
GM204 Maxwell | 5.200.000.000 | 2014 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 398 milímetros cuadrados | 13.070.000 | |
GM206 Maxwell | 2.940.000.000 | 2014 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 228 milímetros cuadrados | 12.890.000 | |
GM107 Maxwell | 1.870.000.000 | 2014 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 148 milímetros cuadrados | 12.640.000 | |
Tonga GCN3 | 5.000.000.000 | 2014 | AMD | TSMC, Fundiciones globales | 28 nm | 366 milímetros cuadrados | 13.660.000 | |
Fiyi GCN3 | 8.900.000.000 | 2015 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | 596 milímetros cuadrados | 14.930.000 | |
Durango 2 ( Xbox One S ) | 5.000.000.000 | 2016 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 16 nm | 240 milímetros cuadrados | 20.830.000 | [234] |
Neo ( PlayStation 4 Pro ) | 5.700.000.000 | 2016 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 16 nm | 325 milímetros cuadrados | 17.540.000 | [235] |
Ellesmere/ Polaris 10 GCN4 | 5.700.000.000 | 2016 | AMD | Samsung, Fundiciones globales | 14 nm | 232 milímetros cuadrados | 24.570.000 | [236] |
Baffin/ Polaris 11 GCN4 | 3.000.000.000 | 2016 | AMD | Samsung , GlobalFoundries | 14 nm | 123 milímetros cuadrados | 24.390.000 | [207] [237] |
Lexa/ Polaris 12 GCN4 | 2.200.000.000 | 2017 | AMD | Samsung, Fundiciones globales | 14 nm | 101 milímetros cuadrados | 21.780.000 | [207] [237] |
GP100 Pascal | 15.300.000.000 | 2016 | Nvidia | TSMC, Samsung | 16 nm | 610 milímetros cuadrados | 25.080.000 | [238] [239] |
GP102 Pascal | 11.800.000.000 | 2016 | Nvidia | TSMC, Samsung | 16 nm | 471 milímetros cuadrados | 25.050.000 | [207] [239] |
GP104 Pascal | 7.200.000.000 | 2016 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 16 nm | 314 milímetros cuadrados | 22.930.000 | [207] [239] |
GP106 Pascal | 4.400.000.000 | 2016 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 16 nm | 200 milímetros cuadrados | 22.000.000 | [207] [239] |
GP107 Pascal | 3.300.000.000 | 2016 | Nvidia | Samsung | 14 nm | 132 milímetros cuadrados | 25.000.000 | [207] [239] |
GP108 Pascal | 1.850.000.000 | 2017 | Nvidia | Samsung | 14 nm | 74 milímetros cuadrados | 25.000.000 | [207] [239] |
Escorpio ( Xbox One X ) | 6.600.000.000 | 2017 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 16 nm | 367 milímetros cuadrados | 17.980.000 | [231] [240] |
Vega 10 GCN5 | 12.500.000.000 | 2017 | AMD | Samsung, Fundiciones globales | 14 nm | 484 milímetros cuadrados | 25.830.000 | [241] |
GV100 Volta | 21.100.000.000 | 2017 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 12 nm | 815 milímetros cuadrados | 25.890.000 | [242] |
TU102 Turing | 18.600.000.000 | 2018 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 12 nm | 754 milímetros cuadrados | 24.670.000 | [243] |
TU104 Turing | 13.600.000.000 | 2018 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 12 nm | 545 milímetros cuadrados | 24.950.000 | |
TU106 Turing | 10.800.000.000 | 2018 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 12 nm | 445 milímetros cuadrados | 24.270.000 | |
TU116 Turing | 6.600.000.000 | 2019 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 12 nm | 284 milímetros cuadrados | 23.240.000 | [244] |
TU117 Turing | 4.700.000.000 | 2019 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 12 nm | 200 milímetros cuadrados | 23.500.000 | [245] |
Vega 20 GCN5 | 13.230.000.000 | 2018 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | 331 milímetros cuadrados | 39.970.000 | [207] |
Navi 10 ADNRD | 10.300.000.000 | 2019 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | 251 milímetros cuadrados | 41.040.000 | [246] |
Navi 12 ADNRD | ? | 2020 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | ? | ? | |
Navi 14 RDNA | 6.400.000.000 | 2019 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | 158 milímetros cuadrados | 40.510.000 | [247] |
ADNc de Arcturus | 25.600.000.000 | 2020 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | 750 milímetros cuadrados | 34.100.000 | [248] |
GA100 Amperio | 54.200.000.000 | 2020 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | 826 milímetros cuadrados | 65.620.000 | [249] [250] |
Amperio GA102 | 28.300.000.000 | 2020 | Nvidia | Samsung | 8 nm | 628 milímetros cuadrados | 45.035.000 | [251] [252] |
Amperio GA103 | 22.000.000.000 | 2022 | Nvidia | Samsung | 8 nm | 496 milímetros cuadrados | 44.400.000 | [253] |
Amperio GA104 | 17.400.000.000 | 2020 | Nvidia | Samsung | 8 nm | 392 milímetros cuadrados | 44.390.000 | [254] |
Amperio GA106 | 12.000.000.000 | 2021 | Nvidia | Samsung | 8 nm | 276 milímetros cuadrados | 43.480.000 | [255] |
Amperio GA107 | 8.700.000.000 | 2021 | Nvidia | Samsung | 8 nm | 200 milímetros cuadrados | 43.500.000 | [256] |
Navi 21 RDNA2 | 26.800.000.000 | 2020 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | 520 milímetros cuadrados | 51.540.000 | |
Navegación 22 RDNA2 | 17.200.000.000 | 2021 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | 335 milímetros cuadrados | 51.340.000 | |
Navegación 23 RDNA2 | 11.060.000.000 | 2021 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | 237 milímetros cuadrados | 46.670.000 | |
Navegador 24 RDNA2 | 5.400.000.000 | 2022 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 6 nm | 107 milímetros cuadrados | 50.470.000 | |
ADNc2 de Aldebarán | 58.200.000.000 ( millones de mcm ) | 2021 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 6 nm | 1448–1474 mm2 [ 257] 1480 mm2 [ 258] 1490–1580 mm2 [ 259] | 39.500.000–40.200.000 39.200.000 36.800.000–39.100.000 | [260] |
Tolva GH100 | 80.000.000.000 | 2022 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 4 nm | 814 milímetros cuadrados | 98.280.000 | [261] |
AD102 Ada Lovelace | 76.300.000.000 | 2022 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 4 nm | 608,4 mm2 | 125.411.000 | [262] |
AD103 Ada Lovelace | 45.900.000.000 | 2022 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 4 nm | 378,6 milímetros cuadrados | 121.240.000 | [263] |
AD104 Ada Lovelace | 35.800.000.000 | 2022 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 4 nm | 294,5 mm2 | 121.560.000 | [263] |
AD106 Ada Lovelace | ? | 2023 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 4 nm | 190 milímetros cuadrados | ? | [264] [265] |
AD107 Ada Lovelace | ? | 2023 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 4 nm | 146 milímetros cuadrados | ? | [264] [266] |
Navi 31 RDNA3 | 57.700.000.000 (MCM) 45.400.000.000 (MCD) 6×2.050.000.000 (MCD) | 2022 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 5 nm (CDG) 6 nm (CDM) | 531 mm2 ( MCM) 306 mm2 ( MCD) 6×37,5 mm2 ( MCD) | 109.200.000 (MMC) 132.400.000 (MCD) 54.640.000 (MCD) | [267] [268] [269] |
Navegador 32 RDNA3 | 28.100.000.000 (millones de m3) | 2023 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 5 nm (CDG) 6 nm (CDM) | 350 mm2 ( MCM) 200 mm2 ( GCD) 4×37,5 mm2 ( MCD) | 80.200.000 (millones de m3) | [270] |
Navegación 33 RDNA3 | 13.300.000.000 | 2023 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 6 nm | 204 milímetros cuadrados | 65.200.000 | [271] |
Agua Vanjaram CDNA3 | 153.000.000.000 (millones de m3) | 2023 | AMD | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 5 nm (CDG) 6 nm (CDM) | ? | ? | [272] [273] |
GB200 Grace Blackwell | 208.000.000.000 | 2024 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 4 nm | ? | ? | [274] |
Procesador | Conteo de transistores | Año | Diseñador(es) | Fab(s) | Proceso MOS | Área | Densidad de transistores ( tr./mm2 ) | Árbitro |
Una matriz de puertas programables en campo (FPGA) es un circuito integrado diseñado para ser configurado por un cliente o un diseñador después de la fabricación.
FPGA | Conteo de transistores | Fecha de introducción | Diseñador | Fabricante | Proceso | Área | Densidad de transistores, tr./mm2 | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Virtex | 70.000.000 | 1997 | Xilinx | |||||
Virtex-E | 200.000.000 | 1998 | Xilinx | |||||
Virtex II | 350.000.000 | 2000 | Xilinx | 130 nm | ||||
Virtex II PRO | 430.000.000 | 2002 | Xilinx | |||||
Virtex-4 | 1.000.000.000 | 2004 | Xilinx | 90 nm | ||||
Virtex-5 | 1.100.000.000 | 2006 | Xilinx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 65 nm | [275] | ||
Stratix IV | 2.500.000.000 | 2008 | Altera | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 40 nm | [276] | ||
Stratix V | 3.800.000.000 | 2011 | Altera | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | [ cita requerida ] | ||
Arria 10 | 5.300.000.000 | 2014 | Altera | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 20 nm | [277] | ||
Virtex-7 2000T | 6.800.000.000 | 2011 | Xilinx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 28 nm | [278] | ||
Stratix 10 SX 2800 | 17.000.000.000 | Por determinar | Intel | Intel | 14 nm | 560 milímetros cuadrados | 30.400.000 | [279] [280] |
Virtex Ultrascale VU440 | 20.000.000.000 | Primer trimestre de 2015 | Xilinx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 20 nm | [281] [282] | ||
Virtex-Ultrascale+ VU19P | 35.000.000.000 | 2020 | Xilinx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 16 nm | 900 mm2 [ f] | 38.900.000 | [283] [284] [285] |
Versal VC1902 | 37.000.000.000 | 2.º semestre de 2019 | Xilinx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | [286] [287] [288] | ||
Stratix 10 GX 10M | 43.300.000.000 | Cuarto trimestre de 2019 | Intel | Intel | 14 nm | 1.400 mm2 [ f] | 30.930.000 | [289] [290] |
Versal VP1802 | 92.000.000.000 | 2021 ? [g] | Xilinx | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | [291] [292] |
La memoria semiconductora es un dispositivo electrónico de almacenamiento de datos , a menudo utilizado como memoria de computadora , implementado en circuitos integrados . Casi todas las memorias semiconductoras desde la década de 1970 han utilizado MOSFET (transistores MOS), reemplazando a los anteriores transistores de unión bipolar . Existen dos tipos principales de memoria semiconductora: memoria de acceso aleatorio (RAM) y memoria no volátil (NVM). A su vez, existen dos tipos principales de RAM: memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) y memoria estática de acceso aleatorio (SRAM), así como dos tipos principales de NVM: memoria flash y memoria de solo lectura (ROM).
La SRAM CMOS típica consta de seis transistores por celda. Para DRAM, es común la estructura 1T1C, que significa un transistor y un capacitor. El capacitor cargado o no [ aclaración necesaria ] se usa para almacenar 1 o 0. En la memoria flash, los datos se almacenan en compuertas flotantes y se detecta la resistencia del transistor [ aclaración necesaria ] para interpretar los datos almacenados. Dependiendo de qué tan fina sea la escala en la que se pueda separar la resistencia [ aclaración necesaria ] , un transistor podría almacenar hasta tres bits , lo que significa ocho niveles distintivos de resistencia posibles por transistor. Sin embargo, una escala más fina tiene el costo de problemas de repetibilidad y, por lo tanto, confiabilidad. Por lo general, se usa flash MLC de 2 bits de grado bajo para unidades flash , por lo que una unidad flash de 16 GB contiene aproximadamente 64 mil millones de transistores.
Para los chips SRAM, las celdas de seis transistores (seis transistores por bit) eran el estándar. [293] Los chips DRAM durante la década de 1970 tenían celdas de tres transistores (tres transistores por bit), antes de que las celdas de un solo transistor (un transistor por bit) se volvieran estándar desde la era de la DRAM de 4 Kb a mediados de la década de 1970. [294] [295] En la memoria flash de un solo nivel , cada celda contiene un MOSFET de puerta flotante (un transistor por bit), [296] mientras que la flash multinivel contiene 2, 3 o 4 bits por transistor.
Los chips de memoria flash se suelen apilar en capas, hasta 128 capas en producción, [297] y 136 capas administradas, [298] y disponibles en dispositivos de usuario final de hasta 69 capas de los fabricantes.
Nombre del chip | Capacidad ( bits ) | Tipo de RAM | Conteo de transistores | Fecha de introducción | Fabricante(s) | Proceso | Área | Densidad de transistores ( tr./mm2 ) | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
— | 1 bit | SRAM ( celda ) | 6 | 1963 | Niño justo | — | — | ? | [299] |
— | 1 bit | DRAM (celda) | 1 | 1965 | Toshiba | — | — | ? | [300] [301] |
? | 8 bits | SRAM ( bipolar ) | 48 | 1965 | Ficha de datos de seguridad (SDS) de Signetics | ? | ? | ? | [299] |
SP95 | 16 bits | SRAM (bipolar) | 80 | 1965 | IBM | ? | ? | ? | [302] |
TMC3162 | 16 bits | Memoria RAM ( TTL ) | 96 | 1966 | Transitón | — | ? | ? | [295] |
? | ? | Memoria RAM ( MOS ) | ? | 1966 | Comité ejecutivo nacional | ? | ? | ? | [294] |
256 bits | Memoria RAM dinámica ( IC ) | 256 | 1968 | Niño justo | ? | ? | ? | [295] | |
64 bits | Memoria RAM ( PMOS ) | 384 | 1968 | Niño justo | ? | ? | ? | [294] | |
144 bits | Memoria RAM ( NMOS ) | 864 | 1968 | Comité ejecutivo nacional | |||||
1101 | 256 bits | Memoria RAM (PMOS) | 1.536 | 1969 | Intel | 12.000 nm | ? | ? | [303] [304] [305] |
1102 | 1Kb | Memoria RAM dinámica (PMOS) | 3.072 | 1970 | Intel , Honeywell | ? | ? | ? | [294] |
1103 | 1Kb | Memoria RAM dinámica (PMOS) | 3.072 | 1970 | Intel | 8.000 nm | 10 mm2 | 307 | [306] [293] [307] [295] |
μPD403 | 1Kb | Memoria RAM dinámica (NMOS) | 3.072 | 1971 | Comité ejecutivo nacional | ? | ? | ? | [308] |
? | 2 KB | Memoria RAM dinámica (PMOS) | 6,144 | 1971 | Instrumento general | ? | 12,7 mm2 | 484 | [309] |
2102 | 1Kb | Memoria RAM (NMOS) | 6,144 | 1972 | Intel | ? | ? | ? | [303] [310] |
? | 8Kb | Memoria RAM dinámica (PMOS) | 8,192 | 1973 | IBM | ? | 18,8 mm2 | 436 | [309] |
5101 | 1Kb | Memoria RAM ( CMOS ) | 6,144 | 1974 | Intel | ? | ? | ? | [303] |
2116 | 16 Kb | Memoria RAM dinámica (NMOS) | 16.384 | 1975 | Intel | ? | ? | ? | [311] [295] |
2114 | 4Kb | Memoria RAM (NMOS) | 24.576 | 1976 | Intel | ? | ? | ? | [303] [312] |
? | 4Kb | Memoria RAM (CMOS) | 24.576 | 1977 | Toshiba | ? | ? | ? | [304] |
64 Kb | Memoria RAM dinámica (NMOS) | 65.536 | 1977 | TNT | ? | 35,4 mm2 | 1851 | [309] | |
Memoria RAM ( VMOS ) | 65.536 | 1979 | Siemens | ? | 25,2 mm2 | 2601 | [309] | ||
16 Kb | Memoria RAM (CMOS) | 98.304 | 1980 | Hitachi , Toshiba | ? | ? | ? | [313] | |
256 Kb | Memoria RAM dinámica (NMOS) | 262.144 | 1980 | Comité ejecutivo nacional | 1.500 nm | 41,6 mm2 | 6302 | [309] | |
TNT | 1.000 nm | 34,4 mm2 | 7620 | [309] | |||||
64 Kb | Memoria RAM (CMOS) | 393.216 | 1980 | Matsushita | ? | ? | ? | [313] | |
288 Kb | DRACMA | 294.912 | 1981 | IBM | ? | 25 mm2 | 11.800 | [314] | |
64 Kb | Memoria RAM (NMOS) | 393.216 | 1982 | Intel | 1.500 nm | ? | ? | [313] | |
256 Kb | Memoria RAM (CMOS) | 1.572.864 | 1984 | Toshiba | 1.200 nm | ? | ? | [313] [305] | |
8 Mb | DRACMA | 8.388.608 | 5 de enero de 1984 | Hitachi | ? | ? | ? | [315] [316] | |
16 Mb | Memoria RAM ( CMOS ) | 16.777.216 | 1987 | TNT | 700 nm | 148 milímetros cuadrados | 113.400 | [309] | |
4 Mb | Memoria RAM (CMOS) | 25.165.824 | 1990 | NEC, Toshiba, Hitachi, Mitsubishi | ? | ? | ? | [313] | |
64 Mb | Memoria RAM dinámica (CMOS) | 67.108.864 | 1991 | Matsushita , Mitsubishi, Fujitsu , Toshiba | 400 nm | ||||
KM48SL2000 | 16 Mb | Memoria SDRAM | 16.777.216 | 1992 | Samsung | ? | ? | ? | [317] [318] |
? | 16 Mb | Memoria RAM (CMOS) | 100.663.296 | 1992 | Fujitsu, NEC | 400 nm | ? | ? | [313] |
256 Mb | Memoria RAM dinámica (CMOS) | 268.435.456 | 1993 | Hitachi, NEC | 250 nm | ||||
1 GB | DRACMA | 1.073.741.824 | 9 de enero de 1995 | Comité ejecutivo nacional | 250 nm | ? | ? | [319] [320] | |
Hitachi | 160 nm | ? | ? | ||||||
Memoria SDRAM | 1.073.741.824 | 1996 | Mitsubishi | 150 nm | ? | ? | [313] | ||
Memoria SDRAM ( SOI ) | 1.073.741.824 | 1997 | Hyundai | ? | ? | ? | [321] | ||
4 GB | DRAM ( 4 bits ) | 1.073.741.824 | 1997 | Comité ejecutivo nacional | 150 nm | ? | ? | [313] | |
DRACMA | 4.294.967.296 | 1998 | Hyundai | ? | ? | ? | [321] | ||
8 GB | Memoria RAM ( DDR3 ) | 8.589.934.592 | Abril de 2008 | Samsung | 50 nm | ? | ? | [322] | |
16 GB | Memoria RAM SDRAM (DDR3) | 17.179.869.184 | 2008 | ||||||
32 GB | Memoria SDRAM ( HBM2 ) | 34.359.738.368 | 2016 | Samsung | 20 nm | ? | ? | [323] | |
64 GB | Memoria SDRAM (HBM2) | 68.719.476.736 | 2017 | ||||||
128 GB | Memoria RAM ( DDR4 ) | 137.438.953.472 | 2018 | Samsung | 10 nm | ? | ? | [324] | |
? | Memoria RAM [325] (3DSoC) [326] | ? | 2019 | Tecnología SkyWater [327] | 90 nm | ? | ? |
Nombre del chip | Capacidad ( bits ) | Tipo de flash | Recuento de transistores FGMOS | Fecha de introducción | Fabricante(s) | Proceso | Área | Densidad de transistores ( tr./mm2 ) | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
? | 256 Kb | NI | 262.144 | 1985 | Toshiba | 2.000 nm | ? | ? | [313] |
1 Mb | NI | 1.048.576 | 1989 | Seeq , Intel | ? | ||||
4 Mb | NAND | 4.194.304 | 1989 | Toshiba | 1.000 nm | ||||
16 Mb | NI | 16.777.216 | 1991 | Mitsubishi | 600 nm | ||||
DD28F032SA | 32 Mb | NI | 33.554.432 | 1993 | Intel | ? | 280 milímetros cuadrados | 120.000 | [303] [328] |
? | 64 Mb | NI | 67.108.864 | 1994 | Comité ejecutivo nacional | 400 nm | ? | ? | [313] |
NAND | 67.108.864 | 1996 | Hitachi | ||||||
128 Mb | NAND | 134.217.728 | 1996 | Samsung , Hitachi | ? | ||||
256 Mb | NAND | 268.435.456 | 1999 | Hitachi , Toshiba | 250 nm | ||||
512 Mb | NAND | 536.870.912 | 2000 | Toshiba | ? | ? | ? | [329] | |
1 GB | NAND de 2 bits | 536.870.912 | 2001 | Samsung | ? | ? | ? | [313] | |
Toshiba, SanDisk | 160 nm | ? | ? | [330] | |||||
2 GB | NAND | 2.147.483.648 | 2002 | Samsung, Toshiba | ? | ? | ? | [331] [332] | |
8 GB | NAND | 8.589.934.592 | 2004 | Samsung | 60 nm | ? | ? | [331] | |
16 GB | NAND | 17.179.869.184 | 2005 | Samsung | 50 nm | ? | ? | [333] | |
32 GB | NAND | 34.359.738.368 | 2006 | Samsung | 40 nm | ||||
MALDICIÓN | 128 GB | NAND apilado | 128.000.000.000 | Abril de 2007 | Toshiba | 56 nm | 252 milímetros cuadrados | 507.900.000 | [334] |
THGBM | 256 GB | NAND apilado | 256.000.000.000 | 2008 | Toshiba | 43 nm | 353 milímetros cuadrados | 725.200.000 | [335] |
THGBM2 | 1 cucharada | NAND de 4 bits apilada | 256.000.000.000 | 2010 | Toshiba | 32 nm | 374 milímetros cuadrados | 684.500.000 | [336] |
KLMCG8GE4A | 512 GB | NAND de 2 bits apilada | 256.000.000.000 | 2011 | Samsung | ? | 192 milímetros cuadrados | 1.333.000.000 | [337] |
KLUFG8R1EM | 4 TB | V-NAND de 3 bits apilado | 1.365.333.333.504 | 2017 | Samsung | ? | 150 milímetros cuadrados | 9.102.000.000 | [338] |
eUFS (1 TB) | 8 TB | V-NAND de 4 bits apilado | 2.048.000.000.000 | 2019 | Samsung | ? | 150 milímetros cuadrados | 13.650.000.000 | [339] [340] |
? | 1 cucharada | Matriz NAND TLC 232L | 333,333,333,333 | 2022 | Micrón | ? | 68,5 mm2 ( matriz de memoria) | 4.870.000.000 (14,6 Gbit/ mm2 ) | [341] [342] [343] [344] |
? | 16 TB | Paquete de 232 litros | 5.333.333.333.333 | 2022 | Micrón | ? | 68,5 mm2 ( matriz de memoria) | 77.900.000.000 (16×14,6 Gbit/ mm2 ) |
Nombre del chip | Capacidad ( bits ) | Tipo de ROM | Conteo de transistores | Fecha de introducción | Fabricante(s) | Proceso | Área | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
? | ? | PASEO | ? | 1956 | Arma | — | ? | [345] [346] |
1Kb | Memoria ROM ( MOS ) | 1.024 | 1965 | Microelectrónica general | ? | ? | [347] | |
3301 | 1Kb | ROM ( bipolar ) | 1.024 | 1969 | Intel | — | ? | [347] |
1702 | 2 KB | Memorias EPROM (MOS) | 2.048 | 1971 | Intel | ? | 15 mm2 | [348] |
? | 4Kb | Memorias ROM (MOS) | 4.096 | 1974 | AMD , Instrumento general | ? | ? | [347] |
2708 | 8Kb | Memorias EPROM (MOS) | 8,192 | 1975 | Intel | ? | ? | [303] |
? | 2 KB | Memoria EEPROM (MOS) | 2.048 | 1976 | Toshiba | ? | ? | [349] |
ROM μCOM-43 | 16 Kb | PROM ( Promoción de movimiento progresivo ) | 16.000 | 1977 | Comité ejecutivo nacional | ? | ? | [350] |
2716 | 16 Kb | Memoria EPROM ( TTL ) | 16.384 | 1977 | Intel | — | ? | [306] [351] |
EA8316F | 16 Kb | Memoria ROM ( NMOS ) | 16.384 | 1978 | Matrices electrónicas | ? | 436 milímetros cuadrados | [347] [352] |
2732 | 32 Kb | Memoria EPROM | 32.768 | 1978 | Intel | ? | ? | [303] |
2364 | 64 Kb | memoria de sólo lectura | 65.536 | 1978 | Intel | ? | ? | [353] |
2764 | 64 Kb | Memoria EPROM | 65.536 | 1981 | Intel | 3.500 nm | ? | [303] [313] |
27128 | 128 Kb | Memoria EPROM | 131.072 | 1982 | Intel | ? | ||
27256 | 256 Kb | Memoria EPROM ( HMOS ) | 262.144 | 1983 | Intel | ? | ? | [303] [354] |
? | 256 Kb | Memoria EPROM ( CMOS ) | 262.144 | 1983 | Fujitsu | ? | ? | [355] |
512 Kb | Memoria EPROM (NMOS) | 524.288 | 1984 | AMD | 1.700 nm | ? | [313] | |
27512 | 512 Kb | Memorias EPROM (HMOS) | 524.288 | 1984 | Intel | ? | ? | [303] [356] |
? | 1 Mb | Memorias de acceso aleatorio (CMOS) | 1.048.576 | 1984 | Comité ejecutivo nacional | 1.200 nm | ? | [313] |
4 Mb | Memorias de acceso aleatorio (CMOS) | 4.194.304 | 1987 | Toshiba | 800 nm | |||
16 Mb | Memorias de acceso aleatorio (CMOS) | 16.777.216 | 1990 | Comité ejecutivo nacional | 600 nm | |||
MROM | 16.777.216 | 1995 | AKM , Hitachi | ? | ? | [320] |
Antes de que se inventaran los transistores, los relés se utilizaban en máquinas tabuladoras comerciales y en los primeros ordenadores experimentales. El primer ordenador digital programable y totalmente automático del mundo , [357] el ordenador Z3 de 1941 con una longitud de palabra de 22 bits , tenía 2600 relés y funcionaba a una frecuencia de reloj de unos 4-5 Hz . El ordenador de números complejos de 1940 tenía menos de 500 relés, [358] pero no era totalmente programable. Los primeros ordenadores prácticos utilizaban tubos de vacío y lógica de diodos de estado sólido . ENIAC tenía 18 000 tubos de vacío, 7200 diodos de cristal y 1500 relés, y muchos de los tubos de vacío contenían dos elementos de triodo .
La segunda generación de computadoras fueron computadoras de transistores que presentaban placas llenas de transistores discretos, diodos de estado sólido y núcleos de memoria magnética . Se cree ampliamente que la Computadora de Transistores de 48 bits experimental de 1953 , desarrollada en la Universidad de Manchester , fue la primera computadora de transistores en entrar en funcionamiento en cualquier parte del mundo (el prototipo tenía 92 transistores de contacto puntual y 550 diodos). [359] Una versión posterior, la máquina de 1955, tenía un total de 250 transistores de unión y 1300 diodos de contacto puntual. La Computadora también usó una pequeña cantidad de tubos en su generador de reloj, por lo que no fue la primera completamente transistorizada. El ETL Mark III, desarrollado en el Laboratorio Electrotécnico en 1956, puede haber sido la primera computadora electrónica basada en transistores que utilizó el método de programa almacenado . Tenía alrededor de "130 transistores de contacto puntual y alrededor de 1.800 diodos de germanio que se usaban como elementos lógicos, y estos estaban alojados en 300 paquetes enchufables que se podían introducir y extraer". [360] El IBM 7070 de arquitectura decimal de 1958 fue el primer ordenador de transistores en ser totalmente programable. Tenía alrededor de 30.000 transistores de germanio de unión de aleación y 22.000 diodos de germanio, en aproximadamente 14.000 tarjetas de Sistema Modular Estándar (SMS). El MOBIDIC de 1959 , abreviatura de "MOBIle DIgital Computer", de 12.000 libras (6,0 toneladas cortas) montado en el remolque de un camión semirremolque , era un ordenador transistorizado para datos de campo de batalla.
La tercera generación de computadoras utilizaba circuitos integrados (CI). [361] La computadora de guía Apollo de 15 bits de 1962 utilizaba "alrededor de 4000 circuitos "Tipo-G" (puerta NOR de 3 entradas)" para aproximadamente 12 000 transistores más 32 000 resistencias. [362] El IBM System/360 , presentado en 1964, utilizaba transistores discretos en paquetes de circuitos híbridos . [361] La CPU PDP-8 de 12 bits de 1965 tenía 1409 transistores discretos y más de 10 000 diodos, en muchas tarjetas. Las versiones posteriores, comenzando con la PDP-8/I de 1968, utilizaban circuitos integrados. La PDP-8 fue reimplementada más tarde como un microprocesador como el Intersil 6100 , véase más abajo. [363]
La siguiente generación de computadoras fueron las microcomputadoras , comenzando con la Intel 4004 de 1971 , que utilizaba transistores MOS . Estas se utilizaban en computadoras domésticas o computadoras personales (PC).
Esta lista incluye las primeras computadoras transistorizadas (segunda generación) y las computadoras basadas en circuitos integrados (tercera generación) de las décadas de 1950 y 1960.
Computadora | Conteo de transistores | Año | Fabricante | Notas | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|
Computadora de transistores | 92 | 1953 | Universidad de Manchester | Transistores de contacto puntual , 550 diodos. No tenían capacidad para almacenar programas. | [359] |
TRADICO | 700 | 1954 | Laboratorios Bell | Transistores de contacto puntual | [359] |
Computadora de transistores (tamaño completo) | 250 | 1955 | Universidad de Manchester | Transistores de contacto puntual discretos , 1.300 diodos | [359] |
IBM 608 | 3.000 | 1955 | IBM | Transistores de germanio | [364] |
ETL Mark III | 130 | 1956 | Laboratorio electrotécnico | Transistores de contacto puntual, 1.800 diodos, capacidad de programa almacenado | [359] [360] |
Metrovick 950 | 200 | 1956 | Metropolitano-Vickers | Transistores de unión discreta | |
Normativa nacional de comercio exterior (NEAC)-2201 | 600 | 1958 | Comité ejecutivo nacional | Transistores de germanio | [365] |
Hitachi MARS-1 | 1.000 | 1958 | Hitachi | [366] | |
IBM 7070 | 30.000 | 1958 | IBM | Transistores de germanio con unión de aleación , 22.000 diodos | [367] |
Matsushita MADIC-I | 400 | 1959 | Matsushita | Transistores bipolares | [368] |
Normativa nacional de comercio exterior (NEAC)-2203 | 2,579 | 1959 | Comité ejecutivo nacional | [369] | |
Toshiba TOSBAC-2100 | 5.000 | 1959 | Toshiba | [370] | |
IBM 7090 | 50.000 | 1959 | IBM | Transistores discretos de germanio | [371] |
PDP-1 | 2.700 | 1959 | Corporación de equipos digitales | Transistores discretos | |
Olivetti Elea 9003 | ? | 1959 | Olivetti | 300.000 (?) transistores y diodos discretos | [372] |
Mitsubishi MELCOM 1101 | 3.500 | 1960 | Mitsubishi | Transistores de germanio | [373] |
M18 FADAC | 1.600 | 1960 | Autonética | Transistores discretos | |
CPU del IBM 7030 Stretch | 169.100 | 1961 | IBM | El ordenador más rápido del mundo entre 1961 y 1964 | [374] |
D-17B | 1,521 | 1962 | Autonética | Transistores discretos | |
NEC NEAC-L2 | 16.000 | 1964 | Comité ejecutivo nacional | Transistores GE | [375] |
CDC 6600 (computadora completa) | 400.000 | 1964 | Corporación de datos de control | El ordenador más rápido del mundo entre 1964 y 1969 | [376] |
Sistema IBM/360 | ? | 1964 | IBM | Circuitos híbridos | |
PDP-8 "8 rectos" | 1.409 [363] | 1965 | Corporación de equipos digitales | transistores discretos, 10.000 diodos | |
PDP-8/S | 1.001 [377] [378] [379] | 1966 | Corporación de equipos digitales | transistores discretos, diodos | |
PDP-8/I | 1,409 [ cita requerida ] | 1968 [380] | Corporación de equipos digitales | Circuitos TTL de la serie 74 [381] | |
Bloque I del ordenador de orientación Apollo | 12.300 | 1966 | Laboratorio de instrumentación Raytheon / MIT | 4.100 circuitos integrados , cada uno con una compuerta NOR de 3 entradas y 3 transistores. (El bloque II tenía 2.800 circuitos integrados con compuertas NOR duales de 3 entradas). |
El recuento de transistores para funciones lógicas genéricas se basa en la implementación de CMOS estática . [382]
Función | Conteo de transistores | Árbitro |
---|---|---|
NO | 2 | |
Buffer | 4 | |
NAND de 2 entradas | 4 | |
NOR 2 entradas | 4 | |
Y 2 entradas | 6 | |
O 2 entradas | 6 | |
NAND de 3 entradas | 6 | |
NOR 3 entradas | 6 | |
XOR de 2 entradas | 6 | |
XNOR de 2 entradas | 8 | |
MUX de 2 entradas con TG | 6 | |
MUX de 4 entradas con TG | 18 | |
NO MUX 2 entradas | 8 | |
MUX de 4 entradas | 24 | |
Sumador completo de 1 bit | 24 | |
Sumador-restador de 1 bit | 48 | |
Y-O-INVERTIR | 6 | [383] |
Pestillo, puerta D | 8 | |
Flip-flop, D dinámico activado por flanco con reinicio | 12 | |
Multiplicador de 8 bits | 3.000 | |
Multiplicador de 16 bits | 9.000 | |
Multiplicador de 32 bits | 21.000 | [ cita requerida ] |
integración a pequeña escala | 2–100 | [384] |
integración a mediana escala | 100–500 | [384] |
integración a gran escala | 500–20.000 | [384] |
integración a muy gran escala | 20.000–1.000.000 | [384] |
integración a ultra gran escala | >1.000.000 |
Históricamente, cada elemento de procesamiento en los primeros sistemas paralelos (como todas las CPU de la época) era una computadora en serie construida a partir de múltiples chips. A medida que aumenta la cantidad de transistores por chip, cada elemento de procesamiento podría construirse a partir de menos chips y, más adelante, cada chip de procesador multinúcleo podría contener más elementos de procesamiento. [385]
Goodyear MPP : (1983?) Procesadores de 8 píxeles por chip, entre 3.000 y 8.000 transistores por chip. [385]
Brunel University Scape (elemento de procesamiento de matriz de un solo chip): (1983) 256 procesadores de píxeles por chip, 120.000 a 140.000 transistores por chip. [385]
Cell Broadband Engine : (2006) con 9 núcleos por chip, tenía 234 millones de transistores por chip. [386]
Tipo de dispositivo | Nombre del dispositivo | Conteo de transistores | Fecha de introducción | Diseñador(es) | Fabricante(s) | Proceso MOS | Área | Densidad de transistores, tr./mm2 | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Motor de aprendizaje profundo / IPU [h] | Coloso GC2 | 23.600.000.000 | 2018 | Núcleo gráfico | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 16 nm | ~800 mm2 | 29.500.000 | [387] [388] [389] [ se necesita una mejor fuente ] |
Motor de aprendizaje profundo / IPU | Motor a escala de obleas | 1.200.000.000.000 | 2019 | Cerebras | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 16 nm | 46.225 milímetros cuadrados | 25.960.000 | [1] [2] [3] [4] |
Motor de aprendizaje profundo / IPU | Motor a escala de obleas 2 | 2.600.000.000.000 | 2020 | Cerebras | Compañía de gestión de telecomunicaciones | 7 nm | 46.225 milímetros cuadrados | 56.250.000 | [5] [390] [391] |
Conmutador de red | Conmutador NVLink4 NV | 25.100.000.000 | 2022 | Nvidia | Compañía de gestión de telecomunicaciones | N4 (4 millas náuticas) | 294 milímetros cuadrados | 85.370.000 | [392] |
La densidad de transistores es la cantidad de transistores que se fabrican por unidad de área, medida típicamente en términos de la cantidad de transistores por milímetro cuadrado (mm2 ) . La densidad de transistores generalmente se correlaciona con la longitud de la compuerta de un nodo semiconductor (también conocido como proceso de fabricación de semiconductores ), que generalmente se mide en nanómetros (nm). A partir de 2019 [update], el nodo semiconductor con la mayor densidad de transistores es el nodo de 5 nanómetros de TSMC , con 171,3 millones de transistores por milímetro cuadrado (tenga en cuenta que esto corresponde a un espaciado transistor-transistor de 76,4 nm, mucho mayor que el relativo sin sentido "5 nm") [393]
Nombre del nodo | Densidad de transistores (transistores/ mm2 ) | Año de producción | Proceso | MOSFET | Fabricante(s) | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|---|
? | ? | 1960 | 20.000 nm | PMO | Laboratorios Bell | [394] [395] |
? | ? | 1960 | 20.000 nm | NMO | ||
? | ? | 1963 | ? | CMOS | Niño justo | [396] |
? | ? | 1964 | ? | PMO | Microelectrónica general | [397] |
? | ? | 1968 | 20.000 nm | CMOS | RCA | [398] |
? | ? | 1969 | 12.000 nm | PMO | Intel | [313] [305] |
? | ? | 1970 | 10.000 nm | CMOS | RCA | [398] |
? | 300 | 1970 | 8.000 nm | PMO | Intel | [307] [295] |
? | ? | 1971 | 10.000 nm | PMO | Intel | [399] |
? | 480 | 1971 | ? | PMO | Instrumento general | [309] |
? | ? | 1973 | ? | NMO | Instrumentos de Texas | [309] |
? | 220 | 1973 | ? | NMO | Mostek | [309] |
? | ? | 1973 | 7.500 nm | NMO | Comité ejecutivo nacional | [19] [18] |
? | ? | 1973 | 6.000 nm | PMO | Toshiba | [20] [400] |
? | ? | 1976 | 5.000 nm | NMO | Hitachi , Intel | [309] |
? | ? | 1976 | 5.000 nm | CMOS | RCA | |
? | ? | 1976 | 4.000 nm | NMO | Zilog | |
? | ? | 1976 | 3.000 nm | NMO | Intel | [401] |
? | 1.850 | 1977 | ? | NMO | TNT | [309] |
? | ? | 1978 | 3.000 nm | CMOS | Hitachi | [402] |
? | ? | 1978 | 2.500 nm | NMO | Instrumentos de Texas | [309] |
? | ? | 1978 | 2.000 nm | NMO | Comité Ejecutivo Nacional, NTT | |
? | 2.600 | 1979 | ? | VMOS | Siemens | |
? | 7,280 | 1979 | 1.000 nm | NMO | TNT | |
? | 7.620 | 1980 | 1.000 nm | NMO | TNT | |
? | ? | 1983 | 2.000 nm | CMOS | Toshiba | [313] |
? | ? | 1983 | 1.500 nm | CMOS | Intel | [309] |
? | ? | 1983 | 1.200 nm | CMOS | Intel | |
? | ? | 1984 | 800 nm | CMOS | TNT | |
? | ? | 1987 | 700 nm | CMOS | Fujitsu | |
? | ? | 1989 | 600 nm | CMOS | Mitsubishi , NEC, Toshiba | [313] |
? | ? | 1989 | 500 nm | CMOS | Hitachi, Mitsubishi, NEC, Toshiba | |
? | ? | 1991 | 400 nm | CMOS | Matsushita , Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba | |
? | ? | 1993 | 350 nm | CMOS | Sony | |
? | ? | 1993 | 250 nm | CMOS | Hitachi, NEC | |
3LM | 32.000 | 1994 | 350 nm | CMOS | Comité ejecutivo nacional | [204] |
? | ? | 1995 | 160 nm | CMOS | Hitachi | [313] |
? | ? | 1996 | 150 nm | CMOS | Mitsubishi | |
TSMC 180 nm | ? | 1998 | 180 nm | CMOS | Compañía de gestión de telecomunicaciones | [403] |
CS80 | ? | 1999 | 180 nm | CMOS | Fujitsu | [404] |
? | ? | 1999 | 180 nm | CMOS | Intel, Sony, Toshiba | [303] [216] |
CS85 | ? | 1999 | 170 nm | CMOS | Fujitsu | [405] |
Samsung 140 nm | ? | 1999 | 140 nm | CMOS | Samsung | [313] |
? | ? | 2001 | 130 nm | CMOS | Fujitsu, Intel | [404] [303] |
Samsung 100 nm | ? | 2001 | 100 nm | CMOS | Samsung | [313] |
? | ? | 2002 | 90 nm | CMOS | Sony, Toshiba, Samsung | [216] [331] |
CS100 | ? | 2003 | 90 nm | CMOS | Fujitsu | [404] |
Intel 90 nm | 1,450,000 | 2004 | 90 nm | CMOS | Intel | [406][303] |
Samsung 80 nm | ? | 2004 | 80 nm | CMOS | Samsung | [407] |
? | ? | 2004 | 65 nm | CMOS | Fujitsu, Toshiba | [408] |
Samsung 60 nm | ? | 2004 | 60 nm | CMOS | Samsung | [331] |
TSMC 45 nm | ? | 2004 | 45 nm | CMOS | TSMC | |
Elpida 90 nm | ? | 2005 | 90 nm | CMOS | Elpida Memory | [409] |
CS200 | ? | 2005 | 65 nm | CMOS | Fujitsu | [410][404] |
Samsung 50 nm | ? | 2005 | 50 nm | CMOS | Samsung | [333] |
Intel 65 nm | 2,080,000 | 2006 | 65 nm | CMOS | Intel | [406] |
Samsung 40 nm | ? | 2006 | 40 nm | CMOS | Samsung | [333] |
Toshiba 56 nm | ? | 2007 | 56 nm | CMOS | Toshiba | [334] |
Matsushita 45 nm | ? | 2007 | 45 nm | CMOS | Matsushita | [81] |
Intel 45 nm | 3,300,000 | 2008 | 45 nm | CMOS | Intel | [411] |
Toshiba 43 nm | ? | 2008 | 43 nm | CMOS | Toshiba | [335] |
TSMC 40 nm | ? | 2008 | 40 nm | CMOS | TSMC | [412] |
Toshiba 32 nm | ? | 2009 | 32 nm | CMOS | Toshiba | [413] |
Intel 32 nm | 7,500,000 | 2010 | 32 nm | CMOS | Intel | [411] |
? | ? | 2010 | 20 nm | CMOS | Hynix, Samsung | [414][333] |
Intel 22 nm | 15,300,000 | 2012 | 22 nm | CMOS | Intel | [411] |
IMFT 20 nm | ? | 2012 | 20 nm | CMOS | IMFT | [415] |
Toshiba 19 nm | ? | 2012 | 19 nm | CMOS | Toshiba | |
Hynix 16 nm | ? | 2013 | 16 nm | FinFET | SK Hynix | [414] |
TSMC 16 nm | 28,880,000 | 2013 | 16 nm | FinFET | TSMC | [416][417] |
Samsung 10 nm | 51,820,000 | 2013 | 10 nm | FinFET | Samsung | [418][419] |
Intel 14 nm | 37,500,000 | 2014 | 14 nm | FinFET | Intel | [411] |
14LP | 32,940,000 | 2015 | 14 nm | FinFET | Samsung | [418] |
TSMC 10 nm | 52,510,000 | 2016 | 10 nm | FinFET | TSMC | [416][420] |
12LP | 36,710,000 | 2017 | 12 nm | FinFET | GlobalFoundries, Samsung | [237] |
N7FF | 96,500,000 101,850,000[421] | 2017 | 7 nm | FinFET | TSMC | [422][423][424] |
8LPP | 61,180,000 | 2018 | 8 nm | FinFET | Samsung | [418] |
7LPE | 95,300,000 | 2018 | 7 nm | FinFET | Samsung | [423] |
Intel 10 nm | 100,760,000 106,100,000[421] | 2018 | 10 nm | FinFET | Intel | [425] |
5LPE | 126,530,000 133,560,000[421] 134,900,000[426] | 2018 | 5 nm | FinFET | Samsung | [427][428] |
N7FF+ | 113,900,000 | 2019 | 7 nm | FinFET | TSMC | [422][423] |
CLN5FF | 171,300,000 185,460,000[421] | 2019 | 5 nm | FinFET | TSMC | [393] |
Intel 7 | 100,760,000 106,100,000[421] | 2021 | 7 nm | FinFET | Intel | |
4LPE | 145,700,000[426] | 2021 | 4 nm | FinFET | Samsung | [429][430][431] |
N4 | 196,600,000[421][432] | 2021 | 4 nm | FinFET | TSMC | [433] |
N4P | 196,600,000[421][432] | 2022 | 4 nm | FinFET | TSMC | [434] |
3GAE | 202,850,000[421] | 2022 | 3 nm | MBCFET | Samsung | [435][429][436] |
N3 | 314,730,000[421] | 2022 | 3 nm | FinFET | TSMC | [437][438] |
N4X | ? | 2023 | 4 nm | FinFET | TSMC | [439][440][441] |
N3E | ? | 2023 | 3 nm | FinFET | TSMC | [438][442] |
3GAP | ? | 2023 | 3 nm | MBCFET | Samsung | [429] |
Intel 4 | 160,000,000[443] | 2023 | 4 nm | FinFET | Intel | [444][445][446] |
Intel 3 | ? | 2023 | 3 nm | FinFET | Intel | [445][446] |
Intel 20A | ? | 2024 | 2 nm | RibbonFET | Intel | [445][446] |
Intel 18A | ? | 2025 | sub-2 nm | RibbonFET | Intel | [445] |
2GAP | ? | 2025 | 2 nm | MBCFET | Samsung | [429] |
N2 | ? | 2025 | 2 nm | GAAFET | TSMC | [438][442] |
Samsung 1.4 nm | ? | 2027 | 1.4 nm | ? | Samsung | [447] |
1st fully integrated chip set microprocessor
MuP21 has a 21-bit CPU core, a memory coprocessor, and a video coprocessor
F21 offers video I/O, analog I/O, serial network I/O, and a parallel I/O port on chip. F21 has a transistor count of about 15,000 vs about 7,000 for MuP21.
IIRC, The AVR core is 12,000 gates, and the megaAVR core is 20,000 gates. Each gate is 4 transistors. The chip is considerably larger since the memory uses quite a lot.
As of ORCONF, 2016, the ZipCPU used between 1286 and 4926 6-LUTs, depending upon how it is configured.
The chip, etched in 0.25-micron detail — state-of-the-art for graphics processors — fits 10 million transistors
The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm2 memory cell size, a die size just under 10 mm2, and sold for around $21.
The announcement of 1M DRAM in 1984 began the era of megabytes.
The first commercial synchronous DRAM, the Samsung 16-Mbit KM48SL2000, employs a single-bank architecture that lets system designers easily transition from asynchronous to synchronous systems.
This wafer was made just last Friday... and it's the first monolithic 3D IC ever fabricated within a foundry
Initially the 'Complex Number Computer' performed only complex multiplication and division, but later a simple modification enabled it to add and subtract as well. It used about 400-450 binary relays, 6-8 panels, and ten multiposition, multipole relays called "crossbars" for temporary storage of numbers.
backplanes contain 230 cards, approximately 10,148 diodes, 1409 transistors, 5615 resistors, and 1674 capacitors