Proceso de 800 nm

Fabricación de dispositivos semiconductores
Escalado de MOSFET ( nodos de proceso )
0,20 μm  – 1968 0 10 μm  – 1971 00 6 μm  – 1974 00 3 μm  – 1977  1,5 μm  – 1981 00 1 μm  – 1984 800 nm – 1987 600 nm  – 1990 350 millas náuticas  – 1993 250 nm  – 1996 180 nm  – 1999 130 millas náuticas  – 2001 0,90 millas náuticas  – 2003 0,65 millas náuticas  – 2005 0,45 millas náuticas  – 2007 032 nm – 2009 028 nm – 2010 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
Future 002 nm ~ 2025
Half-nodes Density CMOS Device (multi-gate) Moore's law Transistor count Semiconductor Industry Nanoelectronics
v t e

El proceso de 800 nm (proceso de 800 nanómetros ) es un nivel de tecnología de proceso de semiconductores que se alcanzó en el período 1987-1990, por empresas como Intel , ATI Technologies e IBM . ^[1]

El proceso de 800 nm se refiere al tamaño mínimo que se puede producir de forma fiable. Los transistores y otros elementos de circuito más pequeños de un chip fabricado con este proceso tenían un ancho de unos 800 nanómetros.

• La CPU i486DX de 50 MHz lanzada en 1991 se fabricó utilizando este proceso. ^[2]
• Tanto la CPU Intel486 DX2 de 25/50 como la de 33/66 MHz utilizan este proceso. ^[3]
• Versión temprana del Intel486 SX2 que utiliza este proceso. ^[4]
• microSPARC I se lanzó en 1992
• Las primeras CPU Intel Pentium P5 a 60 MHz y 66 MHz se lanzaron en 1993

Este artículo relacionado con la nanotecnología es un esbozo . Puedes ayudar a Wikipedia expandiéndolo.

• v
• t
• e