Proceso de 6 μm

Fabricación de dispositivos semiconductores
Escalado de MOSFET ( nodos de proceso )
0,20 μm  – 1968 0 10 μm  – 1971 00 6 μm – 1974 00 3 μm  – 1977  1,5 μm  – 1981 00 1 μm  – 1984 800 nm  – 1987 600 nm  – 1990 350 millas náuticas  – 1993 250 nm  – 1996 180 nm  – 1999 130 millas náuticas  – 2001 0,90 millas náuticas  – 2003 0,65 millas náuticas  – 2005 0,45 millas náuticas  – 2007 0,32 millas náuticas  – 2009 0,28 millas náuticas  – 2010 0,22 millas náuticas  – 2012 0,14 millas náuticas  – 2014 0 10 millas náuticas  – 2016 00 7 nm  – 2018 00 5 millas náuticas  – 2020 00 3 millas náuticas  – 2022
Futuro 00 2 nm  ~ 2025
Seminodos Densidad CMOS Device (multi-gate) Moore's law Transistor count Semiconductor Industry Nanoelectronics
v t e

El proceso de 6 μm (6 micrómetros ) es el nivel de tecnología de proceso de semiconductores que se alcanzó alrededor de 1974 ^{[1] [2]} por empresas como Intel .

El proceso de 6 μm se refiere al tamaño mínimo que se puede producir de manera confiable. Los transistores y otros elementos de circuito más pequeños en un chip fabricado con este proceso tenían un ancho de aproximadamente 6 micrómetros.

• La CPU Intel 8080 lanzada en 1974 se fabricó utilizando este proceso. ^[3]
• El Zilog Z80 lanzado en 1976 se fabricó en 4 μm. ^{[4] [5]}
• Las DRAM Intel 2116 y Mostek 4116 16K se introdujeron en 1975 y 1976, respectivamente. ^[6]

• Breve cronología del desarrollo del microprocesador

Este artículo relacionado con la nanotecnología es un esbozo . Puedes ayudar a Wikipedia expandiéndolo.

• v
• t
• e