Arseniuro de indio
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| Nombres | |
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| Nombre IUPAC Arseniuro de indio (III) | |
| Otros nombres Monoarseniuro de indio | |
| Identificadores | |
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Modelo 3D ( JSmol ) |
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| Araña química |
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| Tarjeta informativa de la ECHA | 100.013.742 |
Identificador de centro de PubChem |
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| UNIVERSIDAD |
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Panel de control CompTox ( EPA ) |
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| Propiedades | |
| En Como | |
| Masa molar | 189,740 g/mol |
| Densidad | 5,67 g/cm3 [ 1] |
| Punto de fusión | 942 °C (1728 °F; 1215 K)942 [1] |
| Banda prohibida | 0,354 eV (300 K) |
| Movilidad electrónica | 40000 cm2 / (V*s) |
| Conductividad térmica | 0,27 W/(cm*K) (300 K) |
Índice de refracción ( n D ) | 4 [2] |
| Estructura | |
| Blenda de zinc | |
a = 6,0583 Å | |
| Termoquímica [3] | |
Capacidad calorífica ( C ) | 47,8 J·mol −1 ·K −1 |
Entropía molar estándar ( S ⦵ 298 ) | 75,7 J·mol −1 ·K −1 |
Entalpía estándar de formación (Δ f H ⦵ 298 ) | -58,6 kJ·mol −1 |
Energía libre de Gibbs (Δ f G ⦵ ) | -53,6 kJ·mol −1 |
| Peligros | |
| Etiquetado SGA : | |
  [4] | |
| Peligro [4] | |
| H301 , H331 [4] | |
| P261 , P301+P310 , P304+P340 , P311 , P405 , P501 [4] | |
| NFPA 704 (rombo cortafuegos) | |
| Ficha de datos de seguridad (FDS) | Hoja de datos de seguridad externa |
| Compuestos relacionados | |
Otros aniones | Nitruro de indio Fosfuro de indio Antimoniuro de indio |
Otros cationes | Arseniuro de galio |
Salvo que se indique lo contrario, los datos se proporcionan para los materiales en su estado estándar (a 25 °C [77 °F], 100 kPa). | |
El arseniuro de indio , InAs , o monoarseniuro de indio , es un semiconductor de banda estrecha compuesto de indio y arsénico . Tiene la apariencia de cristales cúbicos grises con un punto de fusión de 942 °C. [5]
El arseniuro de indio tiene propiedades similares al arseniuro de galio y es un material de banda prohibida directa , con una banda prohibida de 0,35 eV a temperatura ambiente.
El arseniuro de indio se utiliza para la construcción de detectores infrarrojos , para el rango de longitud de onda de 1,0 a 3,8 μm. Los detectores suelen ser fotodiodos fotovoltaicos . Los detectores enfriados criogénicamente tienen menos ruido, pero los detectores de InAs también se pueden utilizar en aplicaciones de mayor potencia a temperatura ambiente. El arseniuro de indio también se utiliza para fabricar láseres de diodo .
El InAs es conocido por su alta movilidad de electrones y su estrecha banda prohibida de energía. Se utiliza ampliamente como fuente de radiación de terahercios , ya que es un potente emisor de fotones .
Los puntos cuánticos se pueden formar en una monocapa de arseniuro de indio sobre fosfuro de indio o arseniuro de galio. Los desajustes de las constantes reticulares de los materiales crean tensiones en la capa superficial, lo que a su vez conduce a la formación de los puntos cuánticos. [6] Los puntos cuánticos también se pueden formar en arseniuro de indio y galio, como puntos de arseniuro de indio asentados en la matriz de arseniuro de galio.
Referencias
- ^ de Haynes, pág. 4.66
- ^ Haynes, págs. 12.157
- ^ Haynes, pág. 5.22
- ^ abcd «Arseniuro de indio». American Elements . Consultado el 12 de octubre de 2018 .
- ^ "Propiedades térmicas del arseniuro de indio (InAs)" . Consultado el 22 de noviembre de 2011 .
- ^ "oe magazine - eye on technology". Archivado desde el original el 18 de octubre de 2006. Consultado el 22 de noviembre de 2011 .
Fuentes citadas
- Haynes, William M., ed. (2016). Manual de química y física del CRC (97.ª edición). CRC Press . ISBN 9781498754293.
Enlaces externos
- Entrada de archivo de datos del Instituto Ioffe
- Entrada sobre el InAs en la hoja de ruta nacional de semiconductores compuestos en el sitio web de la ONR
