Weebit Nano es una empresa pública de propiedad intelectual de semiconductores fundada en Israel en 2015 y con sede en Hod HaSharon , Israel. La empresa desarrolla tecnologías de memoria de acceso aleatorio resistiva (ReRAM o RRAM). La memoria de acceso aleatorio resistiva es una forma especializada de memoria no volátil (NVM) para la industria de semiconductores. Los productos de la empresa están dirigidos a una amplia gama de mercados de NVM donde se requieren persistencia, rendimiento y resistencia. La tecnología ReRAM se puede integrar en dispositivos electrónicos como wearables, puntos finales de Internet de las cosas (IoT) , teléfonos inteligentes, robótica, vehículos autónomos y comunicaciones celulares 5G, entre otros productos. [1] La propiedad intelectual de Weebit Nano se puede licenciar a empresas de semiconductores y fábricas de semiconductores. [2]
La producción inicial comenzó con productos ReRAM integrados (matrices de memoria integradas en sistemas en chips (SoC)) y eventualmente se ampliará para incluir productos ReRAM discretos integrados en paquetes de chips individuales. [3]
Historia
La empresa comenzó como una startup en Israel en 2015, fundada sobre las raíces de la investigación y las patentes desarrolladas por el profesor James Tour de la Universidad Rice , con el objetivo principal de producir esta tecnología ReRAM.
En 2016, la empresa se fusionó con éxito con Radar Iron de Australia, lo que le dio a la entidad fusionada el nombre Weebit Nano, que cotiza en la Bolsa de Valores de Australia bajo el símbolo WBT. [4]
En 2016, Weebit Nano y CEA-Leti firmaron un acuerdo de colaboración para el desarrollo de memorias para el desarrollo de tecnologías ReRAM. Desde entonces, Weebit Nano ha estado trabajando en estrecha colaboración con CEA-Leti en nuevos desarrollos y mejoras de sus tecnologías ReRAM básicas, donde Weebit Nano tiene derechos de comercialización para sus desarrollos conjuntos. En noviembre de 2020, la colaboración Weebit/Leti se amplió para incluir nuevas mejoras de la tecnología ReRAM de Weebit, un mayor desarrollo de su módulo de memoria integrado y el desarrollo de un selector para el mercado de memoria independiente. [5]
David “Dadi” Perlmutter se convirtió en presidente de la junta directiva de Weebit en mayo de 2016. [6]
En octubre de 2017, Coby Hanoch se unió a la empresa como director ejecutivo. [7]
En noviembre de 2018, Weebit anunció que estaba trabajando con el Grupo de Investigación de Memoria No Volátil del Instituto Indio de Tecnología de Delhi (IITD) en un proyecto para investigar el uso de la tecnología ReRAM de Weebit para ciertos tipos de aplicaciones neuromórficas , utilizadas para inteligencia artificial.
En enero de 2019, Weebit anunció su colaboración con un equipo de la Universidad Politécnica de Milán para probar, caracterizar e implementar sus algoritmos desarrollados utilizando la ReRAM de Weebit. El objetivo del proyecto es demostrar la capacidad del hardware basado en ReRAM en aplicaciones neuromórficas y de inteligencia artificial . [8]
En febrero de 2019, Weebit y el Technion (Instituto Tecnológico de Israel) anunciaron una colaboración para examinar el posible uso de dispositivos ReRAM en una nueva arquitectura informática que podría acelerar el procesamiento, la velocidad de transferencia de memoria y el ancho de banda de memoria y disminuir la latencia del procesamiento, al mismo tiempo que utiliza menos energía. [9]
En diciembre de 2019, XTX Technology y Weebit verificaron los parámetros técnicos de la matriz ReRAM de Weebit en los propios laboratorios de XTX. XTX confirmó con éxito las mediciones en la NVM de Weebit que se habían logrado previamente en el instituto de investigación francés Leti. [10]
En febrero de 2020, Weebit firmó una carta de intención con SiEn (QingDao) Integrated Circuits Co., Ltd. (SiEn) para investigar conjuntamente formas en las que la tecnología de Weebit se puede utilizar en los productos de SiEn. [11]
En octubre de 2020, Weebit, junto con Leti, completó su proceso de estabilización tecnológica, por lo que su tecnología ahora está lista para ser transferida a una fábrica de producción. [12]
En septiembre de 2021, Weebit y SkyWater Technology anunciaron un acuerdo para llevar la ReRAM de Weebit a la producción en serie. [13] Como parte del acuerdo, SkyWater ha licenciado la tecnología ReRAM de Weebit para su uso como memoria no volátil integrada en los diseños de los clientes. [14]
En septiembre de 2021, Weebit, junto con Leti, produjo, probó y caracterizó matrices ReRAM de 1 Mb completamente funcionales en un proceso FDSOI de 28 nm en obleas de 300 mm. [15]
Weebit demostró su módulo IP ReRAM públicamente por primera vez en junio de 2022. [16]
También en junio, Weebit entregó chips de demostración que integraban su módulo ReRAM integrado a la fundición de SkyWater Technology. [17] Esto fue seguido en noviembre de 2022 cuando Weebit recibió de SkyWater las primeras obleas de producción que incorporaban su tecnología ReRAM integrada de Skywater: la primera vez que se recibían obleas de silicio de Weebit ReRAM de una fábrica de producción. [18]
En marzo de 2023, Weebit y SkyWater anunciaron la disponibilidad del primer producto IP ReRAM disponible comercialmente de Weebit. La IP en el proceso S130 de SkyWater apunta a aplicaciones en los sectores automotriz, de defensa y más allá. [19]
Weebit y SkyWater confirmaron en junio de 2023 que Weebit ReRAM IP ha sido totalmente calificado para temperaturas industriales empleando el proceso CMOS de 130 nm (S130) de SkyWater. [20]
En octubre de 2023, la fundición DB HiTek licenció Weebit ReRAM para su uso en los diseños de sus clientes. Weebit ReRAM estará disponible en el proceso BCD de 130 nm de DB HiTek. [21]
Weebit y Efabless Corp. anunciaron una colaboración en mayo de 2024 que dará a los clientes del chipIgnite de Efabless acceso a la ReRAM de Weebit para incorporarla en prototipos de diseño fabricados con el proceso CMOS de 130 nm (S130) de SkyWater Technology . [22]
Gestión
Weebit Nano está dirigido por el director ejecutivo Coby Hanoch. [23] Hanoch ha ocupado los puestos de vicepresidente de ventas mundiales y miembro del consejo de administración de la empresa de procesadores Codasip , [24] vicepresidente de ventas mundiales de la empresa EDA Jasper Design Automation [25] y director ejecutivo de PacketLight, [26] un desarrollador de equipos DWDN y OTN para el transporte de datos. También fue miembro del equipo fundador y vicepresidente de la empresa EDA Verisity. [27] Anteriormente ocupó puestos de gestión de ingeniería en National Semiconductor . [25]
Además del director ejecutivo Coby Hanoch, la junta directiva de Weebit Nano incluye:
David “Dadi” Perlmutter (presidente), [28] quien también es presidente de la junta directiva de Teramount [29] y del Instituto de Innovación de Israel [30] y anteriormente fue vicepresidente ejecutivo, director de productos y gerente general del Grupo de Arquitectura Intel . [31]
Yoav Nissan Cohen, (director ejecutivo), [32] quien también es el director ejecutivo y fundador de Zullavision [33] y anteriormente fue presidente, codirector ejecutivo y presidente de Tower Semiconductor . [32]
Atiq Raza, (director no ejecutivo), [34] quien también es presidente ejecutivo de Virsec Systems [35] y anteriormente ocupó puestos de nivel C en AMD y Raza Microelectronics . [36]
Ashley Krongold (director no ejecutivo), director ejecutivo del Grupo Krongold y anteriormente miembro fundador de Investec Bank Australia. [37]
Naomi Simson (directora no ejecutiva), fundadora de RedBallon y cofundadora de Big Red Group , que también forma parte de juntas directivas como Big Red Group, Australian Payments Plus, Colonial First State, la Facultad de Economía y Negocios de la Universidad de Melbourne y la Fundación de Investigación de Parálisis Cerebral. [38]
Mark Licciardo (director no ejecutivo), fundador de Mertons Corporate Services, ahora parte de Acclime Australia. [39]
Tecnología
Weebit Nano produce memorias de acceso aleatorio resistivas (ReRAM), que es un tipo especializado de memoria de acceso aleatorio que mantiene su estado (y sus datos) incluso si el dispositivo se queda sin energía. La ReRAM se utiliza en entornos especializados en los que los datos deben conservarse a pesar de los desafíos ambientales, como los entornos aeroespaciales, de transporte y médicos. Hay dos tipos principales de ReRAM: la ReRAM de puente conductivo (CBRAM) y la ReRAM de vacancia de oxígeno (OxRAM). Weebit Nano ha convertido la OxRAM en producto en sus diseños, y se considera que la OxRAM tiene mejores propiedades de retención en comparación con la CBRAM. [40]
Al fabricar obleas de semiconductores, las tecnologías de memoria se pueden integrar durante el proceso " front-end-of-line " (FEOL), que ocurre en la fase inicial o más tarde, en las fases posteriores durante el proceso "back-end-of-line" (BEOL). La ReRAM de Weebit Nano se puede integrar más fácilmente en los flujos de fabricación porque ocurre durante las capas BEOL posteriores en lugar de las capas FEOL anteriores. Hay dos tecnologías principales que se utilizan para fabricar transistores en obleas, CMOS a granel y FD-SOI. Weebit Nano utiliza el proceso compatible con CMOS donde los materiales permiten un rápido desarrollo e integración en cualquier fábrica a través de las técnicas y herramientas de deposición más comunes. [41]
Desde 2016, Weebit Nano ha colaborado en el desarrollo de tecnologías ReRAM con CEA-Leti de Francia, uno de los institutos de investigación en nanotecnología más grandes de Europa. [42] Las dos organizaciones han colaborado en los nodos de tecnología de 40 nm y 130 nm. [43]
Weebit y Leti también han mostrado una demostración neuromórfica para tareas de inferencia de inteligencia artificial (IA) en las que los circuitos de memoria están pensados para imitar las acciones de un cerebro humano. Las áreas de enfoque de CEA-Leti y Weebit Nano a partir de noviembre de 2020 giran en torno a mejoras adicionales de la tecnología ReRAM de Weebit. [44]
Otros hitos técnicos clave incluyen:
Producción en noviembre de 2017 de muestras de células RRAM de SiOx de 40 nm en funcionamiento, con mediciones realizadas en esas células en varias obleas para verificar la capacidad de sus células de memoria para mantener su comportamiento de memoria. [45]
Demostración de junio de 2018 de una matriz ReRAM de 1 Mbit en funcionamiento fabricada con una tecnología de proceso de 40 nm [46]
Producción en agosto de 2018 de las primeras unidades empaquetadas que contienen matrices de memoria basadas en la tecnología ReRAM de Weebit [47]
Octubre de 2020: finalización del proceso de estabilización tecnológica para que la tecnología de Weebit esté lista para su transferencia a una planta de fabricación de producción [12]
Septiembre de 2021: producción, prueba y caracterización de matrices ReRAM de 1 Mb totalmente funcionales en un proceso FDSOI de 28 nm en obleas de 300 mm [49]
Obleas de silicio de demostración de diciembre de 2021 que integran el módulo ReRAM integrado de Weebit [50]
Demostración de enero de 2022 de las primeras matrices ReRAM de barra transversal de Weebit [51]
Marzo de 2022, trabajando con CEA-Leti para diseñar un módulo de memoria IP que integre un bloque ReRAM de varios megabits orientado al proceso FD-SOI de 22 nm [52]
En octubre de 2022 completó la calificación tecnológica completa de su módulo ReRAM fabricado por su socio de I+D CEA-Leti [53]
En enero de 2023, trabajamos con CEA-Leti y CEA-List para diseñar un chip de demostración en un proceso FD-SOI de 22 nm [54]
En marzo de 2023 se compartieron los resultados iniciales de los estudios de irradiación realizados con el Grupo de Investigación Nino (NRG) en el Departamento de Ciencia e Ingeniería de Materiales de la Universidad de Florida, que demuestran que Weebit ReRAM mantiene la integridad de los datos y la funcionalidad de la memoria después de estar sujeto a altas dosis de irradiación gamma [55].
En marzo de 2023, anunció la disponibilidad de su primer producto IP ReRAM en el proceso de fabricación CMOS de 130 nm de SkyWater Technology y demostró el módulo en la conferencia de la industria Embedded World [56].
En julio de 2023, su ReRAM se calificó hasta 125 grados Celsius, la temperatura especificada para NVM de grado 1 automotriz [57]
En noviembre de 2023, se recibieron las primeras obleas que integraban su ReRAM incorporada fabricada en el proceso 22FDX de GlobalFoundries. [58] En marzo de 2024, Weebit anunció que haría una demostración en vivo de su chip de demostración en 22FDX en Embedded World 2024. [59]
Weebit y SkyWater anunciaron que han calificado completamente el módulo ReRAM de Weebit a temperaturas de hasta 125 grados Celsius en la plataforma S130 de SkyWater [60]
Weebit anunció que demostró la alta resistencia y confiabilidad de su ReRAM en condiciones automotrices extendidas, incluidas altas temperaturas de 150 grados Celsius y ciclos de programa extendidos. [61]
DB HiTek y Weebit anunciaron la producción del módulo ReRAM de Weebit en el proceso BCD de 130 nm de DB HiTek. [62]
Referencias
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