Diodo lambda
Un diodo lambda es un circuito electrónico que combina un par complementario de transistores de efecto de campo controlados por unión en un dispositivo de dos terminales que exhibe un área de resistencia negativa diferencial muy similar a un diodo túnel . El término se refiere a la forma de la curva V – I del dispositivo, que se asemeja a la letra griega λ (lambda) .
Los diodos lambda funcionan a un voltaje más alto que los diodos túnel. Mientras que un diodo túnel típico [1] puede exhibir una resistencia diferencial negativa de aproximadamente entre 70 mV y 350 mV, esta región se presenta aproximadamente entre 1,5 V y 6 V en un diodo lambda debido a los voltajes de estrangulamiento más altos de los dispositivos JFET típicos. Por lo tanto, un diodo lambda no puede reemplazar directamente a un diodo túnel .
Además, en un diodo túnel la corriente alcanza un mínimo de aproximadamente el 20% de la corriente pico antes de volver a aumentar hacia voltajes más altos. La corriente del diodo lambda se acerca a cero a medida que aumenta el voltaje, antes de volver a aumentar rápidamente a un voltaje lo suficientemente alto como para provocar una ruptura de compuerta-fuente en los FET.
También es posible construir un dispositivo similar a un diodo lambda combinando un JFET de canal n con un transistor bipolar PNP . [2] Una variante modulable sugerida, pero un poco más difícil de construir, utiliza un optoacoplador basado en PNP y se puede ajustar utilizando su diodo IR. Esto tiene la ventaja de que sus propiedades se pueden ajustar con un controlador de polarización simple y usarse para aplicaciones de radio de alta sensibilidad. A veces, se puede utilizar en su lugar un transistor PNP de lata abierta modificado con LED IR.
Aplicaciones
Al igual que el diodo túnel, el aspecto de resistencia negativa del diodo lambda se presta naturalmente a la aplicación en circuitos osciladores [3] y amplificadores. Además, se han descrito circuitos biestables como las celdas de memoria. [4]
Referencias
- ^ Hoja de datos 1N3712.
- ^ Oscilaciones y amplificación regenerativa utilizando resistencia negativa.
- ^ Un medidor de inmersión que utiliza el circuito de resistencia negativa Lambda. Lloyd Butler, Amateur Radio , enero de 1997.
- ^ Patente de Estados Unidos 4376986: Célula de memoria de diodo Lambda doble; http://www.wipo.int/pctdb/images4/PCT-PAGES/1983/091983/83001335/83001335.pdf.
Literatura
- Graf, Rudolf F. (1999). Diccionario moderno de electrónica, 7.ª ed . Boston [etc.]: Newnes Press. pág. 411. ISBN 0-7506-9866-7.
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